技術領域

本發明涉及數據處理技術領域，尤其涉及一種校驗方法和裝置。

背景技術

目前，循環冗余校驗（Cyclic Redundancy Check，CRC）技術廣泛應用于數據通信領域中的差錯檢測中。CRC可以通過軟件查表或者硬件處理實現，隨著高速網絡的發展，對10G、20G、40G等超大流量的數據進行CRC處理已經成為趨勢，對高速數據進行CRC處理一般通過硬件實現。

現有技術中，通過硬件對位寬為多個字節的并行數據進行CRC處理時，需要多個CRC電路來實現。舉例來說，對于位寬為4個字節的并行數據進行CRC處理，則需要4種類型的CRC電路，分別是1個字節對應的CRC電路、2個字節對應的CRC電路、3個字節對應的CRC電路以及4個字節對應的CRC電路。

本發明的發明人對現有的校驗方法進行研究發現，現有技術中當并行數據的位寬越大時所需要CRC電路也會成倍增長，這對于位寬為多個字節的并行數據進行CRC處理所需要的硬件資源較多。

發明內容

本發明實施例提供了一種校驗方法和裝置，用于減少對多個字節的并行數據進行CRC計算時所需要的硬件資源。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供以下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供一種校驗方法，包括：

通過芯片的數據總線獲取并行數據，所述并行數據的報文長度為L個字節，所述數據總線的位寬為N個字節，所述L和所述N都為正整數；

判斷所述L除以所述N得到的余數是否等于0；

若所述L除以所述N得到的余數不等于0，在所述并行數據的頭部添加P 個字節的填充數據，得到新的并行數據，所述P等于所述N減去M，所述M為所述L除以所述N得到的余數的取值；

根據所述L除以所述N得到的余數計算與位寬為所述N相對應的循環冗余校驗CRC電路的初始值，所述初始值使得用與位寬為所述N相對應的CRC電路和與位寬為所述M相對應的CRC電路分別進行CRC計算后輸出的結果相等；

根據所述與位寬為所述N相對應的CRC電路的初始值對所述新的并行數據進行CRC計算。

結合第一方面，在第一方面的第一種可能的實現方式中，所述通過芯片的數據總線獲取并行數據之后，還包括：

對所述并行數據的尾部和所述數據總線進行對齊。

結合第一方面或第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第二種可能的實現方式中，所述判斷所述L除以所述N得到的余數是否等于0之后，還包括：

若所述L除以所述N得到的余數等于0，根據與位寬為所述N相對應的CRC電路的預置初始值對所述并行數據進行CRC計算。

結合第一方面的第二種可能的實現方式，在第一方面的第三種可能的實現方式中，當所述L除以所述N得到的余數等于0時，對所述并行數據進行CRC計算所使用的CRC電路的預置初始值為N個字節的1或N個字節的0。

結合第一方面或第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第四種可能的實現方式中，所述P個字節的填充數據為P個字節的0。

結合第一方面或第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第五種可能的實現方式中，所述根據所述L除以所述N得到的余數計算與位寬為所述N相對應的循環冗余校驗CRC電路的初始值，包括：

根據預置數據的每個比特信息和預置初始值獲取與位寬為所述M相對應的CRC電路的每個比特的輸出結果；

根據所述預置數據的每個比特信息和待定初始值獲取與位寬為所述N相對應的CRC電路的每個比特的輸出結果；

在與位寬為所述N相對應的CRC電路和與位寬為所述M相對應的CRC 電路分別進行CRC計算后每個比特的輸出結果都相等的情況下，計算所述與位寬為所述M相對應的CRC電路的預置初始值、所述與位寬為所述N相對應的CRC電路的待定初始值組成的方程組，求解出所述待定初始值，所述待定初始值即為所述與位寬為所述N相對應的CRC電路的初始值。

結合第一方面的第五種可能的實現方式，在第一方面的第六種可能的實現方式中，所述根據預置數據的每個比特信息和預置初始值獲取與位寬為所述M相對應的CRC電路的每個比特的輸出結果，包括：

通過如下方式計算與位寬為所述M相對應的CRC電路的第x個比特的輸出結果next_crc_M[x]：