1.一種多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，包括玻璃基座（106）和設(shè)置在玻璃基座（106）上的硅基底（111），其特征是：在所述硅基底（111）上表面設(shè)置第一壓力傳感器單元（201）、第二壓力傳感器單元（202）、第三壓力傳感器單元（203）、第四壓力傳感器單元（204）、第五壓力傳感器單元（205）和第六壓力傳感器單元（206）；所述第一壓力傳感器單元（201）、第二壓力傳感器單元（202）、第三壓力傳感器單元（203）、第四壓力傳感器單元（204）、第五壓力傳感器單元（205）和第六壓力傳感器單元（206）分別包括上電極（301）、下電極（302）和壓力膜（303）；所述第一壓力傳感器單元（201）、第二壓力傳感器單元（202）、第三壓力傳感器單元（203）、第四壓力傳感器單元（204）、第五壓力傳感器單元（205）和第六壓力傳感器單元（206）的下電極（302）分別通過金屬鋁線（207）合并連接后輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，其特征是：在所述硅基底（111）的上部設(shè)置由硅基底（111）的上表面向下表面延伸的P阱（110），在P阱（110）的上表面依次設(shè)置氧化硅層（109）和多晶硅（108），在硅基底（111）的下部設(shè)置真空密封腔（105）；所述真空密封腔（105）上部的P阱（110）、氧化硅層（109）和多晶硅（108）構(gòu)成壓力膜（303）；在所述P阱（110）的一側(cè)設(shè)置P+區(qū)（104），在氧化硅層（109）上表面的兩側(cè)分別設(shè)置氮化硅層（107），在兩側(cè)的氮化硅層（107）上表面分別設(shè)置第一金屬層（101）和第二金屬層（102），在兩側(cè)的氮化硅層（107）中設(shè)置第一鎢塞（103）和第二鎢塞（112），第一鎢塞（103）依次穿過氮化硅層（107）和氧化硅層（109）連接第一金屬層（101）和P+區(qū)（104），第二鎢塞（112）穿過氮化硅層（107）連接第二金屬層（102）和氮化硅層（107）下部的多晶硅（108）；所述第一鎢塞（103）和第一金屬層（101）構(gòu)成了下電極（302），第二鎢塞（112）和第二金屬層（102）構(gòu)成了上電極（301），下電極（302）由第一鎢塞（103）與P+區(qū)（104）歐姆接觸引出。

3.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，其特征是：所述第一壓力傳感器單元（201）、第二壓力傳感器單元（202）、第三壓力傳感器單元（203）、第四壓力傳感器單元（204）、第五壓力傳感器單元（205）和第六壓力傳感器單元（206）的壓力膜（303）的尺寸不同。

4.如權(quán)利要求1所述的多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，其特征是：所述壓力膜（303）為正方形；所述第一壓力傳感器單元（201）的壓力膜邊長為400μm，第二傳感器單元（202）的壓力膜邊長為600μm，第三傳感器單元（203）的壓力膜邊長為800μm，第四傳感器單元（204）的壓力膜邊長為1000μm，第五傳感器單元（205）的壓力膜邊長為1500μm，第六傳感器單元（206）的壓力膜邊長為2000μm。

5.如權(quán)利要求2所述的多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，其特征是：所述真空密封腔（105）由硅基底（111）的下表面延伸至P阱（110）的下表面。

6.如權(quán)利要求2所述的多量程CMOS?MEMS電容式壓力傳感器芯片，其特征是：所述第一金屬層（101）、第二金屬層（102）和金屬連線（207）采用金屬鋁。