技術領域

本發明涉及非易失性存儲器技術領域，具體涉及一種非易失性存儲器的修復方法。

背景技術

非易失性存儲器，又稱為非揮發性存儲器，簡單地說，就是在斷電情況下能夠保持所存儲的數據的存儲器。對于非易失性存儲器，在正常的存儲單元中，編程單元存儲的數據為0，擦除單元存儲的數據為1。然而編程單元因自身的內部缺陷或者宇宙射線等因素影響會造成浮柵漏電，相應存儲單元中的電子會不斷跑掉，閾值電壓會逐漸降低，隨著時間的推移，編程單元中的數據由0變為1，再進行讀操作時，讀出的數據就是錯誤的，從而降低了非易失性存儲器的數據保持力。

數據保持力是指存儲單元中單個比特能夠保持其數據穩定的周期，它是非易失性存儲器非常重要的一個性能指標，它的性能直接影響到存儲器的可靠性和使用壽命。導致數據保持力降低的主要因素有存在的漏電、電荷的損失或者增加；此外，高溫或者反復的擦除編程操作，也可能會導致電荷量的變化，從而造成數據的丟失。通常數據保持時間會伴隨擦除和編程操作次數的增加而減少。非易失性存儲器的數據保持特性，一般要求是在10年以上。因此，改善數據保持力，對于提高存儲器的可靠性十分重要。

圖1是根據現有技術的非易失性存儲器的結構示意圖。參見圖1，非易失性存儲器中包括若干個BANK，每個BANK中又包括若干個BLOCK，其中一個BANK是由位于同一個基底中的浮柵型場效應管組成，BANK內部又以若干個字線為單位劃分BLOCK。在設計非易失性存儲器時，現有技術的修復方法是對擦除區域所在的BANK進行修復，而不涉及到其余的BANK，這種修復方法能夠在一定程度上改善擦除區域所在的BANK由于擦除操作所產生的強電壓降的影響。然而，對于擦除區域以外的BANK，因存在浮柵漏電等原因造成的閾值電壓降低的區域卻無法進行修復。隨著時間的累積，會造成的該區域中編程單元的數據丟失，從而使非易失性存儲器的數據保持力降低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種非易失性存儲器的修復方法，來解決非易失性存儲器的數據保持力降低的技術問題。

本發明提供了一種非易失性存儲器的修復方法，包括：

開啟所述非易失性存儲器的修復模塊；

所述修復模塊判斷是否執行對所述非易失性存儲器的修復操作，如果不執行所述修復操作，則關閉所述修復模塊；

如果執行所述修復操作，則所述修復模塊對所述非易失性存儲器的修復單元進行修復校驗；

所述修復模塊判斷所述修復單元是否通過修復校驗，如果沒有通過所述修復校驗，則所述修復模塊對所述修復單元進行修復操作；

如果通過所述修復校驗或在完成對所述修復單元的修復操作后，所述修復模塊根據預設的控制位對所述修復單元對應的修復地址進行遞增或遞減并得到下一次的修復地址，同時將所述下一次的修復地址的高位地址保存在所述非易失性存儲器的存儲陣列中；

關閉所述修復模塊。

進一步地，當所述修復模塊首次進行修復校驗時，所述非易失性存儲器的修復單元為預設的初始修復地址的高位地址對應的修復單元。

進一步地，當所述修復模塊再次進行修復校驗時，所述非易失性存儲器的修復單元為所述下一次的修復地址的高位地址對應的修復單元，其中，所述下一次的修復地址的高位地址為上一次執行完對所述非易失性存儲器的修復操作時所保存在所述存儲陣列中的修復地址的高位地址。

進一步地，所述修復模塊對所述非易失性存儲器的修復單元進行修復校驗的方式為所述修復模塊將所述非易失性存儲器的修復單元的閾值電壓與所述修復校驗的基準電壓進行比較。

進一步地，所述修復校驗的基準電壓包括讀電壓和校驗電壓，其中，所述讀電壓小于所述校驗電壓。

進一步地，在所述修復模塊進行修復校驗時，先進行所述讀電壓的修復校驗，再進行所述校驗電壓的修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓大于讀電壓且小于校驗電壓時，所述修復單元沒有通過所述修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓大于讀電壓且大于校驗電壓時，所述修復單元通過所述修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓小于校驗電壓且小于讀電壓時，所述修復單元通過所述修復校驗。

進一步地，當所述預設的控制位的值為1時，所述修復模塊對所述修復單元的修復地址進行遞增；

當所述預設的控制位的值為0時，所述修復模塊對所述修復單元的修復地址進行遞減。