[發明專利]一種微結構層及發光二極管有效
| 申請號: | 201310607762.3 | 申請日: | 2013-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104681688B | 公開(公告)日: | 2018-09-11 |
| 發明(設計)人: | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微結構 發光二極管 | ||
1.一種微結構層,由多個相互間隔的微球組成,其特征在于,所述微結構層設置于一基板的表面用于提高光學偏振效果及光取出效率,并通過范德華力與所述基板緊密結合而成一一體結構,所述多個微球為實心結構體,所述多個微球在所述基板的表面沿多個直線延伸,所述微球的尺寸為20納米~100納米,在所述直線的延伸方向上相鄰的兩個微球之間的間距為10納米~300納米。
2.如權利要求1所述的微結構層,其特征在于,在所述直線的延伸方向上相鄰的兩個微球之間的間距為20納米~100納米。
3.如權利要求1所述的微結構層,其特征在于,所述微球的材料為金、銀、鎳、鈦、鐵、鋁、鉑、鈀、鉻、鉬、鎢、銅、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、或二氧化硅中的至少一種。
4.一種微結構層,其由多個相互間隔的微球組成,其特征在于,所述微結構層設置于一基板的表面用于提高光學偏振效果及光取出效率,并通過范德華力與所述基板緊密結合而成一一體結構,所述多個微球為實心結構體,所述多個微球在所述基板的表面沿多個直線延伸,所述微球的尺寸為10納米~100納米,在所述直線的延伸方向上相鄰的兩個微球之間的間距為20納米~100納米,所述微球包括一內核和一包覆該內核的外殼。
5.如權利要求4所述的微結構層,其特征在于,所述微球的尺寸為40納米~100納米。
6.如權利要求4所述的微結構層,其特征在于,在所述直線的延伸方向上相鄰的兩個微球之間的間距為50納米~100納米。
7.如權利要求4所述的微結構層,其特征在于,所述內核為一類球形的實體結構,所述外殼為一層狀的實體結構。
8.如權利要求7所述的微結構層,其特征在于,所述內核的材料為金屬,所述外殼的材料為介質層。
9.一種發光二極管,其包括:一基底、一第一半導體層、活性層、第二半導體層、一第一電極、一第二電極、一微結構層及一透明導電層,所述第一半導體層、活性層及第二半導體層依次層疊設置于所述基底的表面,所述第一電極設置于所述第一半導體層的表面,所述第二電極和微結構層設置于所述第二半導體層的表面,所述微結構層由多個相互間隔的微球組成,所述多個微球為實心結構體,所述多個微球在所述第二半導體層的表面沿多個直線延伸,所述微球的尺寸為10納米~300納米,在所述直線的延伸方向上相鄰的兩個微球之間的間距為10納米~300納米,所述多個微球通過范德華力與所述第二半導體層緊密結合而成一一體結構,所述微結構層用于提高所述發光二極管的光學偏振效果及光取出效率。
10.如權利要求9所述的發光二極管,其特征在于,所述微結構層設置于所述透明導電層與所述第二電極之間,所述微結構層覆蓋所述第二半導體層的部分表面。
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