技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明專利涉及一種太陽能硅片制程花籃，屬于太陽能電池制備工具技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前在太陽能電池行業(yè)領(lǐng)域內(nèi)，對硅片表面進行絨面處理的工藝，按其化學性質(zhì)可以分為酸性制絨和堿性制絨這兩種方法。在堿性制絨的過程中，要先把硅片放入花籃里，再將硅片和花籃整體放入到堿藥槽中，使硅片與堿液反應，當硅片表面的絨面達到工藝要求時，硅片和花籃整體取出。在酸性制絨法處理硅片的過程中，同樣要把裝有硅片的花籃一同放入酸藥槽中浸泡清洗，待清洗完成后將花籃取出。現(xiàn)有用于太陽能電池制程的花籃在于硅片2接觸的地方通常采取溝槽式的設計，示意圖請見圖1。如圖2所描述，不論卡槽的長短，在濕法工藝中只要花籃與硅片浸泡在化學液體內(nèi)，硅片就會吸附在花籃卡槽1邊緣上，讓工藝均勻性降低，造成卡槽痕3。圖3顯示硅片在制程中因吸附花籃卡槽而造成的卡槽痕。根據(jù)不同的花籃卡槽設計，就會造成對應的卡槽痕3。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供了一種太陽能硅片制程花籃，設計巧妙，硅片與花籃之間為點接觸，解決了硅片與卡槽面接觸或線接觸造成的卡槽痕的問題。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，太陽能硅片制程花籃，花籃上設有卡槽，卡槽的形狀為弧形，硅片與花籃卡槽之間為點接觸。

進一步地，所述花籃橫軸卡槽數(shù)量為1-300。

進一步地，所述卡槽與硅片側(cè)邊接觸點的個數(shù)為1-45。

本發(fā)明具有以下有益效果：藉由弧形的卡槽設計來回避硅片吸附卡槽邊緣的問題，如此在卡槽內(nèi)的硅片即使稍微移動，也可確保不會吸附在卡槽邊緣造成卡槽痕。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)硅片與花籃卡槽的示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)硅片吸附花籃卡槽邊緣的示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)因硅片吸附花籃造成的卡槽痕范例的示意圖；

圖4是本發(fā)明太陽能硅片制程花籃卡槽與硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1花籃卡槽、2硅片、3卡槽痕。

具體實施方式

下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步具體的說明。

如圖4所示，太陽能硅片制程花籃，花籃上設有卡槽，所述卡槽的形狀為弧形，硅片與花籃卡槽之間為點接觸。

花籃橫軸卡槽數(shù)量為1-300。

花籃卡槽1與硅片2側(cè)邊接觸點的個數(shù)為1-45。