1.一種雙投切電容補償裝置，包括第一電容補償器、第二電容補償器、信號采樣電路、信號放大器、中央處理器、電源轉換電路、溫度傳感放大器、第一投切組、第二投切組和投切選擇電路，其特征在于：所述信號采樣電路與所述信號放大器的輸入端電連接，所述信號放大器的輸出端與所述中央處理器電連接，所述溫度傳感放大器與所述中央處理器電連接，所述投切選擇電路與所述中央處理器的控制端相連接，所述第一投切組電連接在所述投切選擇電路與所述第一電容補償器之間，所述第二投切組電連接在所述投切選擇電路與所述第二電容補償器之間，所述第一投切組與所述第二投切組并聯設置，所述電源轉換電路為所述第一電容補償器、第二電容補償器、信號采樣電路、信號放大器、中央處理器、溫度傳感放大器、第一投切組、第二投切組和投切選擇電路提供電源，所述第一投切組包括第一過零投切電路和第二過零投切電路，所述第二投切組包括第三過零投切電路和第四過零投切電路，所述第一過零投切電路和第二過零投切電路相并聯，且所述第一過零投切電路和第二過零投切電路的輸出端均與所述第一電容補償器電連接，所述第三過零投切電路和第四過零投切電路相并聯，且所述第三過零投切電路和第四過零投切電路的輸出端均與所述第二電容補償器電連接。

2.根據權利要求1所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述第一過零投切電路、第二過零投切電路、第三過零投切電路和第四過零投切電路均包括磁保持繼電器J1、第一可控硅SCR1、第二可控硅SCR2、過零投切芯片IC，所述第一可控硅SCR1的陽極與所述第二可控硅SCR2的陰極電連接，所述第一可控硅SCR1的陰極與所述第二可控硅SCR2的陽極電連接，且所述第一可控硅SCR1的陽極和陰極分別電連接與磁保持繼電器J1的常開觸點上，且所述第一可腔硅SCR1的陰極與所述第一電容補償器電連接，所述第一可控硅SCR1的門極與所述過零投切芯片IC的第一控制端電連接，所述第二可控硅SCR2的門極與所述過零投切芯片IC的第二控制端電連接。

3.根據權利要求2所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述過零投切芯片IC的型號為MOC3083，所述第一電容補償器和第二電容補償器均包括電抗器L與三相電容器C，所述電抗器L與三相電容器C串聯。

4.根據權利要求3所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述信號采樣電路包括型號為CT05-1的電流互感器和型號為TR3121CH的電壓互感器，所述信號放大器的型號為LM224，所述電流互感器與所述信號放大器的第九引腳電連接，所述電壓互感器與所述信號放大器的第二引腳電連接。

5.根據權利要求4所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述溫度傳感放大器包括熱敏電阻RT和第一電阻R1，所述熱敏電阻RT與所述第一電阻R1串聯后與所述中央處理器的溫度信號輸入端電連接。

6.根據權利要求5所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述投切選擇電路包括第一三極管Q1、第二三極管Q2和第二電阻R2，所述第一三極管Q1、第二三極管Q2的基極分別與所述中央控制器的輸出端電連接，所述第一三極管Q1、第二三極管Q2的發射極均接地，所述第一三極管Q1的集電極通第二電阻R2與所述第一過零投切電路、第二過零投切電路、第三過零投切電路和第四過零投切電路中過零投切芯片IC的輸入端電連接，所述第二三極管Q2的集電極與第一過零投切電路、第二過零投切電路、第三過零投切電路和第四過零投切電路中磁保持繼電器J1的一端電連接。

7.根據權利要求6所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：所述中央處理器的型號為STC12C5A60S2。

8.根據權利要求1至7中任意一項所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：還包括與所述中央處理器相連接的RS-485通迅電路。

9.根據權利要求1至7中任意一項所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：還包括與所述中央處理器相連接的輸入操作電路。

10.根據權利要求8所述的雙投切電容補償裝置，其特征在于：還包括與所述中央處理器相連接的輸入操作電路。