1.一種耦合在RF源和等離子體腔室之間的匹配電路，所述匹配電路包括：

功率輸入電路，所述功率輸入電路與RF源耦合；

內線圈輸入電路，其耦合在所述功率輸入電路和內線圈的輸入端子之間，所述內線圈輸入電路包括電感器和與所述電感器串聯地耦合的電容器，所述電感器連接至所述功率輸入電路，并且所述電容器連接至所述內線圈的所述輸入端子，第一節點限定在所述功率輸入電路和所述內線圈輸入電路之間；

內線圈輸出電路，其耦合在所述內線圈的輸出端子和地之間，所述內線圈輸出電路限定與地的直接貫通連接；

外線圈輸入電路，其耦合在所述第一節點和外線圈的輸入端子之間；

外線圈輸出電路，其耦合在所述外線圈的輸出端子和地之間。

2.如權利要求1所述的匹配電路，

其中所述電容器為具有在大約150pF至大約1500pF之間的額定值的可變電容器；并且

并且所述電感器具有在大約0.3uH至大約0.5uH之間的值。

3.如權利要求1所述的匹配電路，其中所述外線圈輸入電路包括第二電容器。

4.如權利要求3所述的匹配電路，其中所述第二電容器為具有在大約150pF至大約1500pF之間的額定值的可變電容器。

5.如權利要求1所述的匹配電路，其中所述外線圈輸出電路包括第二電容器。

6.如權利要求5所述的匹配電路，其中所述第二電容器具有在大約80pF至大約120pF之間的值。

7.如權利要求1所述的匹配電路，其中所述功率輸入電路包括：第二電容器，其與所述RF源耦合；第二電感器，其與所述內線圈輸入電路耦合；第三電容器，其耦合在所述第二電容器和所述第二電感器之間；第二節點，其限定在所述第二電容器和所述第三電容器之間；以及第四電容器，其耦合在所述第二節點和地之間。

8.如權利要求7所述的匹配電路，

其中所述第二電容器具有在大約5pF至大約500pF之間的額定值；

其中所述第三電容器具有在大約50pF至大約500pF之間的額定值；

其中所述第二電感器具有在大約0.3uH至大約0.5uH之間的值；

其中所述第四電容器具有在大約200pF至大約300pF之間的值。

9.一種匹配電路，其包括：

功率輸入電路，所述功率輸入電路與RF源耦合；

內線圈輸入電路，其耦合在所述功率輸入電路和內線圈的輸入端子之間，所述內線圈輸入電路包括電感器和與所述電感器串聯地耦合的第一電容器，所述電感器與所述功率輸入電路連接，并且所述第一電容器與所述內線圈的所述輸入端子連接，第一節點限定在所述功率輸入電路和所述內線圈輸入電路之間；

內線圈輸出電路，其耦合在所述內線圈的輸出端子和地之間，所述內線圈輸出電路限定與地的直接貫通連接；

外線圈輸入電路，其耦合在所述第一節點和外線圈的輸入端子之間；

外線圈輸出電路，其耦合在所述外線圈的輸出端子和地之間，所述外線圈輸出電路包括具有大于85pF的值的第二電容器。

10.如權利要求9所述的匹配電路，

其中所述第一電容器為具有在大約150pF至大約1500pF之間的額定值的可變電容器；并且

其中所述電感器具有在大約0.3uH至大約0.5uH之間的值。

11.如權利要求9所述的匹配電路，其中所述外線圈輸入電路包括第三電容器。

12.如權利要求11所述的匹配電路，其中所述第三電容器為具有在大約150pF至大約1500pF之間的額定值的可變電容器。

13.如權利要求9所述的匹配電路，其中所述功率輸入電路包括：第三電容器，其與所述RF源耦合；第二電感器，其與所述內線圈輸入電路耦合；第四電容器，其耦合在所述第三電容器和所述第二電感器之間；第二節點，其限定在所述第三電容器和所述第四電容器之間；以及第五電容器，其耦合在所述第二節點和地之間。