[發(fā)明專利]一種透光氧化鋁基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310442066.1 | 申請日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN104111486B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝國偉;譚海嵐;李敬輝;李嘉旋;盧明 | 申請（專利權(quán)）人： | 美高國際科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/10 | 分類號： | G02B1/10;G02B1/111;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務(wù)所44242 | 代理人： | 劉貽盛 |
| 地址： | 中國香港九龍 紅磡蕪湖*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 透光 氧化鋁 及其 制備 方法 | ||
1.一種透光氧化鋁基板，包括透光氧化鋁基底，其特征在于，在所述透光氧化鋁基底的至少一面的至少部份區(qū)域披覆有不連續(xù)光學(xué)披覆層，所述不連續(xù)光學(xué)披覆層包含多個由第一材料構(gòu)成的納米級成長軸向偏離成長體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述納米級成長軸向偏離成長體包括納米螺旋體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，所述納米螺旋體，其軸向長度與直徑比至少大于1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，所述納米螺旋體，其軸向長度不大于400nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，所述納米螺旋體為中空螺旋體結(jié)構(gòu)或?qū)嵭穆菪w結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，兩個螺旋體間的軸間距與軸向長度比不大于0.5。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的基板，其特征在于，在所述不連續(xù)光學(xué)披覆層上覆蓋有由第二材料構(gòu)成的連續(xù)光學(xué)薄膜層。
8.一種透光氧化鋁基板制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供透光氧化鋁基底；
于所述透光氧化鋁基底的至少一面的至少部份區(qū)域，披覆不連續(xù)光學(xué)披覆層，所述不連續(xù)光學(xué)披覆層包含多個由第一材料構(gòu)成的納米級成長軸向偏離成長體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述納米級成長軸向偏離成長體包括納米螺旋體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述披覆利用物理氣相沉積法進行，在用于披覆的第一材料以相對于透光氧化鋁基底的預(yù)定傾角沉積到所述透光氧化鋁基底的過程中，所述透光氧化鋁基底同時以預(yù)定角速度自轉(zhuǎn)。
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