1.一種金鹵燈驅(qū)動電路，其特征在于，包括高頻方波電壓源、高頻鎮(zhèn)流電感、電容、和金鹵燈；

所述高頻方波電壓源的一端與高頻鎮(zhèn)流電感的一端連接，高頻方波電壓源的另一端分別與金鹵燈的一端和電容的一端連接；

金鹵燈的另一端分別與電容的另一端和高頻鎮(zhèn)流電感的另一端連接；

所述高頻方波電壓源提供方波脈沖電壓，所述電壓頻率為金鹵燈非聲共振頻率；金鹵燈啟動時，高頻鎮(zhèn)流電感與電容產(chǎn)生諧振，并在電容的兩端產(chǎn)生高壓，所述高壓大于金鹵燈啟動電壓；

金鹵燈啟動后，金鹵燈處于高頻導通狀態(tài)，高頻鎮(zhèn)流電感對高頻方波電壓源進行分壓，并對金鹵燈電流進行鎮(zhèn)流，以保持金鹵燈的管壓降和電流。

2.如權(quán)利要求1所述的一種金鹵燈驅(qū)動電路，其特征在于，所述高頻方波電壓源提供高頻方波脈沖電壓，包括振蕩器、信號形成電路、低端功率驅(qū)動器、高端功率驅(qū)動器和頻率控制電路；

所述頻率控制電路控制振蕩器，振蕩器自激產(chǎn)生指定頻率的方波，信號形成電路將振蕩器輸出的方波變換為兩個同頻脈沖方波L0和H0；所述脈沖方波L0輸入低端功率驅(qū)動器，所述脈沖方波H0經(jīng)過隔離電容后輸入高端功率驅(qū)動器，所述高端功率驅(qū)動器驅(qū)動高端功率MOS管，低端功率驅(qū)動器驅(qū)動低端功率MOS管，構(gòu)成半橋功率驅(qū)動電壓源；

所述兩個脈沖方波L0和H0是周期同為T的脈沖，且正脈沖寬度同為Tp，負脈沖寬度同為Tn=T-Tp；所述脈沖方波H0由脈沖方波L0延時Td+Tp得到；其中，

Td=12(Tn-Tp)]]>

Td為死區(qū)時間，且Tn≥Tp。

3.如權(quán)利要求2所述的一種金鹵燈驅(qū)動電路，其特征在于，所述振蕩器自激產(chǎn)生指定頻率的方波，所述方波的頻率為單一頻率，或者為兩個不同的頻率；振蕩器自激產(chǎn)生指定頻率的方波，其頻率為兩個不同的頻率時，高頻方波用于啟動金鹵燈，金鹵燈導通后振蕩器自激產(chǎn)生低頻方波。

4.如權(quán)利要求1或2或3所述的一種金鹵燈驅(qū)動電路，其特征在于，所述金鹵燈驅(qū)動電路與金鹵燈集成在一起。