技術領域

本發明涉及存儲器控制技術領域，尤其涉及一種控制存儲器啟動的方法和裝置。

背景技術

與非型閃存（NAND?Flash）是一種非易失性隨機訪問存儲器，適合存儲大容量數據。不同NAND?Flash的配置類型（也可以稱為“規格”）不同，具體體現為以下一種或幾種參數不同：最大糾錯（Error?Checking?and?Correcting，簡稱ECC）能力、頁大小（pagesize）、塊大?。╞locksize）等。

NAND?Flash在控制芯片（controller）的控制下才能實現各種功能，例如，啟動功能、寫入數據的功能、讀取數據的功能等。控制芯片對NAND?Flash的控制需要滿足NAND?Flash的配置類型進行匹配配置，例如，需要滿足NAND?Flash的最大ECC能力，按照NAND?Flash要求的頁大小讀取數據等。目前，一般在控制NAND?Flash啟動之前，通過人工配置控制芯片的管腳信息，使得控制芯片獲知NAND?Flash的配置類型；進而按照NAND?Flash的配置類型控制NAND?Flash啟動并實現各項功能。

在上述實現控制存儲器啟動的過程中，發明人發明現有技術中至少存在如下問題：通過人工配置控制芯片的管腳信息的方案中，需要配置的控制芯片的管腳較多（例如：3個管腳用于配置pagesize，2個管腳用于配置blocksize，4個管腳用于配置最大ECC能力），也就是說需要使用較多管腳，導致成本高。

發明內容

本發明的實施例提供一種控制存儲器啟動的方法和裝置，不受限于控制芯片的管腳數量，降低了成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，提供一種控制存儲器啟動的方法，應用于控制裝置，所述控制裝置中包含預設數據段，所述預設數據段包含至少一個子數據段，每個子數據段對應一種配置類型，所述方法包括：

讀取第一數據段中的各子數據段，并對與第一配置類型對應的子數據段進行第一操作，得到第二數據段；所述第一數據段是對所述預設數據段中的、與所述存儲器的實際配置類型對應的子數據段進行第二操作之后得到的數據段，所述第一操作為與所述第二操作相反的操作；

匹配所述第二數據段與所述預設數據段；

當所述第二數據段與所述預設數據段匹配時，按照所述第一配置類型啟動所述存儲器。

結合第一方面，在第一種可能的實現方式中，

所述讀取第一數據段中的各子數據段，并對與第一配置類型對應的子數據段進行第一操作，得到第二數據段，包括：

讀取所述第一數據段中的各子數據段，并對與第一配置類型對應的子數據段進行取反操作，得到第二數據段。

結合第一方面或者第一方面的第一種可能的實現方式，在第二種可能的實現方式中，在所述第二數據段與所述預設數據段不匹配時，所述方法還包括：

讀取所述第一數據段中的各子數據段，并對與第二配置類型對應的子數據段進行所述第一操作，得到第三數據段；

匹配所述第三數據段與所述預設數據段；

當所述第三數據段與所述預設數據段匹配時，按照所述第二配置類型啟動所述存儲器。

結合第一方面或者第一方面的第一種可能的實現方式，在第三種可能的實現方式中，在所述第二數據段與所述預設數據段不匹配時，所述方法還包括：

切換所述控制裝置的隨機數產生模塊的開關狀態；

讀取所述第一數據段中的各子數據段，并對與所述第一配置類型對應的子數據段進行所述第一操作，得到第四數據段；

匹配所述第四數據段與所述預設數據段；

當所述第四數據段與所述預設數據段匹配時，按照所述第一配置類型啟動所述存儲器。

結合第一方面的第三種可能的實現方式，在第四種可能的實現方式中，所述切換隨機數產生模塊的開關狀態，包括：

在所述第一配置類型支持所述隨機數產生模塊的開啟狀態和關閉狀態的情況下，切換所述隨機數產生模塊的開關狀態。

第二方面，提供一種控制存儲器啟動的裝置，所述裝置中包含預設數據段，所述預設數據段包含至少一個子數據段，每個子數據段對應一種配置類型，所述裝置包括：

讀取單元，用于讀取第一數據段中的各子數據段，并對與第一配置類型對應的子數據段進行第一操作，得到第二數據段；所述第一數據段是對所述預設數據段中的、與所述存儲器的實際配置類型對應的子數據段進行第二操作之后得到的數據段，所述第一操作為與所述第二操作相反的操作；