技術領域

本發明涉及半導體封裝領域，特別是涉及一種晶圓級芯片尺寸封裝方法。

背景技術

晶圓級芯片尺寸封裝（Wafer?Level?Chip?Scale?Packaging，簡稱WLCSP）技術是對整片晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術，它徹底顛覆了傳統封裝，如陶瓷無引線芯片載具（Ceramic?Leadless?Chip?Carrier）、有機無引線芯片載具（Organic?Leadless?Chip?Carrier）的模式，順應了市場對微電子產品日益輕、小、短、薄化和低價化的要求。經晶圓級芯片尺寸封裝技術封裝后的芯片尺寸達到了高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增大而顯著降低。

現有一種晶圓級芯片尺寸封裝方法包括：

如圖1所示，在表面具有多個（圖中僅顯示出一個）焊盤P的芯片1上形成鈍化層2，鈍化層2具有露出焊盤P的第一開口（未標識）；在鈍化層2上形成第一絕緣層3，第一絕緣層3具有露出焊盤P的第二開口（未標識），第一絕緣層3的上表面S是平坦的；

如圖2所示，在第一絕緣層3和焊盤P上形成金屬種子材料層4a，在金屬種子材料層4a上形成第一圖形化光刻膠層5，第一圖形化光刻膠層5具有露出部分金屬種子材料層4a的第三開口（未標識），且所述第三開口與焊盤P的位置對應；

繼續參照圖2所示，以第一圖形化光刻膠層5為掩模，在所述第三開口下方的金屬種子材料層4a上形成再布線6，使得再布線6與焊盤P電連接，芯片1上位于同一層的再布線6之間被第一圖形化光刻膠層5隔開；

如圖3所示，去除第一圖形化光刻膠層5（如圖2所示），在第一圖形化光刻膠層5所在位置形成開口7；

如圖4所示，以再布線6為掩模對金屬種子材料層4a（如圖3所示）進行刻蝕，以去除開口7下方的金屬種子材料層4a，形成多個間隔開的金屬種子層4；

如圖5所示，在第一絕緣層3及再布線6上形成第二絕緣層8，第二絕緣層8具有露出再布線6末端的第四開口（未標識），芯片1上位于同一層的再布線6之間被保護層8電隔離、同一層的金屬種子層4之間被第二絕緣層8電隔離；

如圖6所示，在所述第四開口下方的再布線6上形成金屬焊球9。

但是，利用上述現有晶圓級芯片尺寸封裝方法所形成的晶圓級芯片尺寸封裝結構存在漏電流的問題。

發明內容

本發明要解決的問題是：利用現有晶圓級芯片尺寸封裝方法所形成的晶圓級芯片尺寸封裝結構存在漏電流的問題。

為解決上述問題，本發明提供了一種晶圓級芯片尺寸封裝方法，包括：

在表面具有多個焊盤的芯片上形成鈍化層，所述鈍化層具有露出焊盤的第一開口；

在所述鈍化層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層的第一上表面設有凹槽，所述凹槽下方設有露出焊盤的第二開口，所述凹槽底部為所述第一絕緣層的第二上表面；

形成覆蓋所述凹槽及焊盤的再布線，所述再布線的上表面低于所述第一絕緣層的第一上表面；

在所述第一絕緣層及再布線上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有露出再布線的第三開口；

在所述第三開口下方的再布線上形成金屬焊球。

可選的，所述第一絕緣層為絕緣的光敏材料層。

可選的，所述光敏材料層的材料為聚酰亞胺或光刻膠。

可選的，在所述鈍化層上形成第一絕緣層的方法包括：

形成覆蓋在所述鈍化層上、填充在所述第一開口內的絕緣材料層；

利用掩膜版對所述絕緣材料層進行曝光，所述掩膜版包括：透明基板；位于所述透明基板上的圖形化遮光層，所述圖形化遮光層具有露出透明基板的開口，所述開口分為至少一個第一開口單元和至少一個第二開口單元，所述掩膜版上對應第一開口單元的區域為第一透光區域、對應第二開口單元的區域為第二透光區域，所述第一開口單元底部露出透明基板，所述第二透光區域的透光率小于透明基板的透光率；

曝光之后進行顯影，以形成所述第一絕緣層，所述第一上表面與所述第一透光區域的位置對應，所述第二上表面與所述第二透光區域的位置對應，所述第二開口與掩膜版上遮光層的位置對應。

可選的，所述第二開口單元底部覆蓋有透光薄膜。

可選的，所述透光薄膜的透光率為40%至60%。

可選的，所述透光薄膜的材料為金屬。

可選的，所述金屬為鉻，所述透光薄膜的厚度大于0、小于等于50nm。

可選的，所述第二開口單元下方的透明基板內摻雜有金屬。