1.一種非易失性半導體存儲器元件，包含：

一存儲器陣列，包含多個存儲器單元和電性連接至這些存儲器單元的多條位線；

一步階電壓產(chǎn)生器，用以產(chǎn)生至少以兩步階方式變化的一步階電壓；以及

一解碼和電平轉(zhuǎn)換電路，用以選擇這些位線中的其中一條，以將該步階電壓作為編程電壓而施加至所選擇的位線上；

其中該步階電壓產(chǎn)生器包含：

一反相器，用以反相一電平切換信號以輸出一反相信號；

一第一晶體管，具有一源極以接收一第一電壓源和一柵極以接收該反相信號；

一第二晶體管，具有一源極以接收一第二電壓源、一柵極以接收該電平切換信號和一漏極以電性連接至該第一晶體管的一漏極；

一電平移位器，用以接收來自該第一晶體管的該漏極的電壓作為電源供應電壓，以產(chǎn)生一電平移位信號；以及

一第三晶體管，具有一漏極以接收該第一電壓源、一柵極以接收該電平移位信號和一源極以產(chǎn)生該步階電壓；

其中，該步階電壓產(chǎn)生器響應于該電平切換信號而產(chǎn)生該步階電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該步階電壓產(chǎn)生器用以產(chǎn)生至少以兩步階方式上升的該步階電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該步階電壓產(chǎn)生器用以產(chǎn)生至少以兩步階方式下降的該步階電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓電壓彼此重迭。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓不會重迭。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該第二電壓源的電平高于該第一電壓源的電平，該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓電壓彼此重迭。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該第二電壓源的電平高于該第一電壓源的電平，該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓電壓不會重迭。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該第一電壓源的電平高于該第二電壓源的電平，該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓電壓彼此重迭。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的非易失性半導體存儲器元件，其中該第一電壓源的電平高于該第二電壓源的電平，該解碼和電平轉(zhuǎn)換電路依序地選擇這些位線中的其中一條，且施加至相鄰位線的這些編程電壓電壓不會重迭。