技術領域

本發明涉及利用兩線式串行接口TWI（Two?Wire?Serial?Interface）總線進行通信的技術領域，特別涉及一種應用于主從設備的通信裝置。

背景技術

在利用TWI總線進行主從通信的系統中，主設備的一個TWI接口通過TWI總線只能接一個從設備或多個不同地址的從設備，即對于只具有一個TWI接口的主設備只能與一個從設備或多個不同地址的從設備進行通信。

而當主設備的一個TWI接口通過TWI總線接多個相同地址的從設備時，會因從設備的地址沖突而無法進行正常通信。因此，對于只具有一個TWI接口的主設備，是無法與多個地址相同的從設備進行通信的。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種應用于主從設備的通信裝置，以使得對于只具有一個TWI接口的主設備，可以與多個地址相同的從設備進行通信。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種應用于主從設備的通信裝置，包括：一個主設備、編號1至M的M個從設備和編號1至2M的2M個N溝道金屬氧化物半導體場效應管MOSFET；

針對第i從設備，1≤i≤M：

第2i-1個N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設備的串行時鐘線SCL接口和電阻R1的一端相連，第二端與所述第i從設備的SCL接口相連，第三端與所述主設備的第i使能控制接口相連；

第2i個N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設備的串行數據線SDA接口和電阻R2的一端相連，第二端與所述第i從設備的SDA接口相連，第三端與所述主設備的第i使能控制接口相連；

所述電阻R1和電阻R2的另一端均與第一直流電源相連；

其中，所述M、i均為自然數，所述SCL接口和SDA接口均屬于兩線式串行接口TWI，且所述第一直流電源為所述主設備的工作電源。

優選的，所述裝置還包括編號1至M的M個電阻R3;

針對第i個電阻R3,1≤i≤M:

所述第i個電阻R3的一端與所述第i使能控制接口、第2i-1個N溝道MOSFET的第三端和第2i個N溝道MOSFET的第三端的公共端相連，另一端接地。

優選的，所述N溝道MOSFET的第一端為漏極、第二端為源極、第三端為柵極。

優選的，所述裝置還包括：編號1至M的M個電阻R4和編號1至M的M個電阻R5；

針對第i個電阻R4，1≤i≤M：

所述第i個電阻R4的一端分別與所述第i從設備的SCL接口和所述第2i-1個N溝道MOSFET的源極相連，另一端與第二直流電源相連；

針對第i個電阻R5，1≤i≤M：

所述第i個電阻R5的一端分別與所述第i從設備的SDA接口和所述第2i個N溝道MOSFET的源極相連，另一端與所述第二直流電源相連；

其中，所述第二直流電源為第i從設備的工作電源。

優選的，所述N溝道MOSFET的第一端為源極、第二端為漏極、第三端為柵極。

優選的，所述裝置還包括：編號1至M的M個電阻R4和編號1至M的M個電阻R5；

針對第i個電阻R4，1≤i≤M：

所述第i個電阻R4的一端分別與所述第i個從設備的SCL接口和所述第2i-1個N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連；

針對第i個電阻R5,1≤i≤M:

所述第i個電阻R5的一端分別與所述第i個從設備的SDA接口和所述第2i個N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與所述第二直流電源相連;

其中，所述第二直流電源為第i從設備的工作電源。

優選的，所述裝置還包括：編號1至2M的2M個二極管；

針對第P個二極管，P為自然數，且1≤P≤2M:

第P個二極管的陽極與第P個N溝道MOSFET的源極相連、陰極與所述第P個N溝道MOSFET的漏極相連。