1.一種半導體器件，包括：

形成在襯底上的第一半導體層；

形成在所述第一半導體層上的第二半導體層和第三半導體層；

形成在所述第三半導體層上的第四半導體層；

形成在所述第四半導體層上的柵電極；以及

形成為與所述第二半導體層接觸的源電極和漏電極，其中

所述第三半導體層和所述第四半導體層形成在所述柵電極正下方的區域中；

所述第四半導體層由p型半導體材料形成；以及

所述第二半導體層和所述第三半導體層由AlGaN形成，并且所述第三半導體層具有比所述第二半導體層的Al組成比低的Al組成比。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第三半導體層的厚度小于或等于所述第二半導體層的厚度。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述第一半導體層由包含GaN的材料形成。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，還包括：

形成在所述第二半導體層下方的第五半導體層，所述第五半導體層通過如下方式形成：移除所述第一半導體層的一部分，然后在已經從其移除所述第一半導體層的所述部分的區域中再生長包含GaN的材料。

5.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述第三半導體層由表示為Al_yGa_1-yN的材料形成，其中y的值滿足0≤y≤0.2。

6.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述第三半導體層形成為具有大于或等于8nm且小于或等于12nm的厚度。

7.根據權利要求1或2所述的半導體器件，還包括：

形成在所述第二半導體層上的蓋層，所述蓋層由包含n型GaN的材料形成。

8.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述第四半導體層由包含GaN的材料形成。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中

在所述第四半導體層中摻雜有Mg。

10.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

在所述第二半導體層和所述第三半導體層中摻雜有Si。

11.一種電源裝置，包括：

根據權利要求1或2所述的半導體器件。

12.一種放大器，包括：

根據權利要求1或2所述的半導體器件。

13.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上依次層疊第一半導體層和第二半導體層；

通過移除所述第二半導體層和所述第一半導體層的在待形成柵電極的區域正下方的部分，形成開口部分；

在所述開口部分處露出的所述第一半導體層上依次層疊第五半導體層、第三半導體層以及第四半導體層；

在所述第四半導體層上形成所述柵電極；以及

形成與所述第二半導體層接觸的源電極和漏電極，其中

所述第四半導體層由p型半導體材料形成，

所述第一半導體層和所述第五半導體層由相同材料形成，以及

所述第二半導體層和所述第三半導體層由AlGaN形成，并且所述第三半導體層具有比所述第二半導體層的Al組成比低的Al組成比。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括：

通過MOVPE(金屬有機氣相外延)形成所述第五半導體層、所述第三半導體層以及所述第四半導體層。

15.根據權利要求13或14所述的方法，還包括：

將在所述第五半導體層和所述第三半導體層之間的界面形成為具有與在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的界面的高度相同的高度。