1.一種LED外延結構，其特征在于，所述外延結構包括：

GaN緩沖層，設置在藍寶石襯底上；

N型GaN層，摻雜有Si和Al并設置在所述GaN緩沖層上；

量子阱層，設置在所述N型GaN層上；以及

P型GaN層上，設置在所述量子阱層上。

2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述N型GaN層包括交替設置的Si-Al-GaN層和Si-GaN層。

3.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述N型GaN層包括：

第一N型GaN層，設置在所述GaN緩沖層上；

第二N型GaN層，設置在所述第一N型GaN層上；以及

第三N型GaN層，設置在所述第二N型GaN層上。

4.根據權利要求3所述的LED外延結構，其特征在于，在所述第一N型GaN層中，所述Si-Al-GaN層與Si-GaN層交替設置38-40個周期，其中，

所述Si-Al-GaN層的厚度為8-10納米，其中Si的摻雜濃度為5E+18-6E+18，Al的摻雜濃度為9E+19-1E+20；

所述Si-GaN層的厚度為3-5納米，其中Si的摻雜濃度為5E+16-6E+16。

5.根據權利要求3所述的LED外延結構，其特征在于，在所述第二N型GaN層中，所述Si-Al-GaN層與Si-GaN層交替設置20-26個周期，其中

所述Si-Al-GaN層的厚度為14-16納米，其中Si的摻雜濃度為8E+18-9E+18，Al的摻雜濃度為1E+20-2E+20；

所述Si-GaN層的厚度為2-3納米，其中Si的摻雜濃度為8E+16-9E+16。

6.根據權利要求3所述的LED外延結構，其特征在于，在所述第三N型GaN層中，所述Si-Al-GaN層與Si-GaN層交替設置15-16個周期，其中，

所述Si-Al-GaN層的厚度為17-18納米，其中Si的摻雜濃度為4E+18-5E+18，Al的摻雜濃度為3E+20-4E+20；

所述Si-GaN層的厚度為1-2納米，其中Si的摻雜濃度為3E+18-4E+18。

7.一種LED外延結構的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括以下步驟：

在1100-1200℃、氫氣條件下處理藍寶石襯底；

在所述藍寶石襯底上沉積GaN緩沖層；

通過MOCVD工藝生長摻雜有Si和Al的N型GaN層；

在N型GaN層上沉積量子阱層；以及

在所述量子阱層上沉積P型GaN層。

8.根據權利要求7所述的生長方法，其特征在于，所述通過MOCVD工藝生長摻雜有Si和Al的N型GaN層的步驟包括：

在所述GaN緩沖層上沉積第一N型GaN層；

在所述第一N型GaN層上沉積第二N型GaN層；以及

在所述第二N型GaN層上沉積第三N型GaN層。

9.根據權利要求8所述的生長方法，其特征在于，所述沉積第一N型GaN層的步驟包括：

在Si的摻雜濃度為5E+18-6E+18，Al的摻雜濃度為9E+19-1E+20的條件下，在所述GaN緩沖層上沉積厚度為8-10納米的Si-Al-GaN層；

在Si的摻雜濃度為5E+16-6E+16的條件下，在所述Si-Al-GaN層上沉積厚度為3-5納米的Si-GaN層；

交替設置所述Si-Al-GaN層和Si-GaN層38-40個周期。

10.根據權利要求8所述的生長方法，其特征在于，所述沉積第二N型GaN層的步驟包括：

在Si的摻雜濃度為8E+18-9E+18，Al的摻雜濃度為1E+20-2E+20的條件下，在所述第一N型GaN層上沉積厚度為14-16納米的Si-Al-GaN層；

在Si的摻雜濃度為8E+16-9E+16的條件下，在所述Si-Al-GaN層上沉積厚度為2-3納米的Si-GaN層；

交替設置所述Si-Al-GaN層和Si-GaN層20-26個周期。

11.根據權利要求8所述的生長方法，其特征在于，所述沉積第三N型GaN層的步驟包括：

在Si的摻雜濃度為4E+18-5E+18，Al的摻雜濃度為3E+20-4E+20的條件下，在所述第二N型GaN層上沉積厚度為17-18納米的Si-Al-GaN層；

在Si的摻雜濃度為3E+18-4E+18下，在所述Si-Al-GaN層上沉積厚度為1-2納米的Si-GaN層；

交替設置所述Si-Al-GaN層和Si-GaN層15-16個周期。