[發明專利]反應腔無效
| 申請號： | 201310250511.4 | 申請日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN103320769A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 林翔;丁大鵬 | 申請（專利權）人： | 光壘光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455;C23C16/452;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應 | ||
1.一種反應腔，用于III-V族材料外延沉積的MOCVD工藝，所述反應腔包括位于所述反應腔頂部的噴淋頭和位于所述反應腔底部且正對所述噴淋頭的基座；其特征在于，所述噴淋頭上加載電勢后作為正極，所述反應腔中低于所述噴淋頭的位置還設置有一負極。
2.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述負極為設置于所述噴淋頭和基座之間的電極環。
3.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述電極環的內徑所圍繞的區域的面積大于所述噴淋頭的下表面的面積，使得由噴淋頭提供的反應氣體從電極環所圍繞的區域中通過。
4.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述電極環到噴淋頭的距離小于所述噴淋頭到基座的距離的1/2。
5.如權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述電極環到噴淋頭的距離小于所述噴淋頭到基座的距離的1/3。
6.如權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述電極環到噴淋頭的距離為所述噴淋頭到基座的距離的1/3。
7.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭的下表面和電極環之間形成電場，所述電場的電勢差為0.5V～5V。
8.如權利要求7所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭和電極環之間施加穩定電勢差。
9.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述基座加載電勢后作為所述負極。
10.如權利要求9所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭的下表面和基座之間形成電場，所述電場的電勢差為0.5V～5V。
11.如權利要求10所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭和基座之間施加穩定電勢差。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
