[發(fā)明專利]電荷輸送性膜、光電轉(zhuǎn)換裝置、電子照相感光體、處理盒和圖像形成設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310222795.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103676510A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木知也;額田克己;山田涉;廣瀨英一;梶原賢志;巖館侑子 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士施樂(lè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03G5/147 | 分類號(hào): | G03G5/147;G03G5/06;G03G15/00;G03G21/18 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;李棟修 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電荷 輸送 光電 轉(zhuǎn)換 裝置 電子 照相 感光 處理 圖像 形成 設(shè)備 | ||
1.一種電荷輸送性膜,所述電荷輸送性膜包括:
包含至少一種選自由下式(I)表示的反應(yīng)性化合物的組合物的固化膜:
其中,F(xiàn)表示電荷輸送性骨架,D表示由式(IIa)表示的基團(tuán),m表示1~8的整數(shù),E表示由式(IIb)表示的基團(tuán),L表示(n+1)價(jià)的連接基團(tuán),所述連接基團(tuán)包括選自由亞烷基、亞烯基、-C(=O)-、-N(R)-、-S-、-O-和源自烷烴或烯烴的三價(jià)或四價(jià)基團(tuán)組成的組的兩個(gè)以上,R表示氫原子、烷基、芳基或芳烷基,n表示1~3的整數(shù),R0表示鹵素原子、烷基或烷氧基,n0表示0~3的整數(shù),并且當(dāng)n0表示2或3的整數(shù)時(shí),R0表示相同或不同的基團(tuán)。
2.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,在式(IIa)中,L表示(n+1)價(jià)的連接基團(tuán),所述連接基團(tuán)包括通過(guò)將選自由-O-和-C(=O)-O-組成的組的一種基團(tuán)與選自由亞烷基、亞烯基和源自烷烴或烯烴的三價(jià)或四價(jià)基團(tuán)組成的組的一種以上的基團(tuán)組合而獲得的基團(tuán)。
3.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,所述由式(IIa)表示的基團(tuán)是由式(IIIa)表示的基團(tuán):
其中,L1表示(n1+1)價(jià)的連接基團(tuán),所述連接基團(tuán)包括通過(guò)將選自由-O-和-C(=O)-O-組成的組的一種基團(tuán)與選自由亞烷基、亞烯基和源自烷烴或烯烴的三價(jià)或四價(jià)基團(tuán)組成的組的一種以上的基團(tuán)組合而獲得的基團(tuán),n1表示1~3的整數(shù),E1表示由式(IIIb)或式(IVb)表示的基團(tuán)。
4.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,所述由式(I)表示的反應(yīng)性化合物是由下式(V)表示的反應(yīng)性化合物:
其中,Ar1~Ar4中每一個(gè)獨(dú)立表示具有取代基或不具有取代基的芳基,Ar5表示具有取代基或不具有取代基的芳基或者具有取代基或不具有取代基的亞芳基,D表示由式(IIa)表示的基團(tuán),c1~c5中每一個(gè)獨(dú)立地表示0~2的整數(shù),k表示0或1,D的總數(shù)為1~8。
5.如權(quán)利要求3所述的電荷輸送性膜,其中,所述由式(IIIa)表示的基團(tuán)是選自由以下式(IIIa-1)~(IIIa-6)表示的基團(tuán)中的基團(tuán):
其中,Xp13~Xp16中每一個(gè)獨(dú)立地表示二價(jià)連接基團(tuán),E1表示由式(IIIb)或式(IVb)表示的基團(tuán),r11和r12中每一個(gè)獨(dú)立地表示0~4的整數(shù),q13~q16中每一個(gè)獨(dú)立地表示0或1的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,式(I)中的E的總數(shù)為2~6。
7.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,式(I)中的E的總數(shù)為3~6。
8.如權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜,其中,式(I)中的E的總數(shù)為4~6。
9.一種光電轉(zhuǎn)換裝置,所述光電轉(zhuǎn)換裝置包括權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜。
10.一種電子照相感光體,所述電子照相感光體包括:
導(dǎo)電性基體;和
設(shè)置所述導(dǎo)電性基體上的感光層,
其中,最外層包含權(quán)利要求1所述的電荷輸送性膜。
11.如權(quán)利要求10所述的電子照相感光體,其中,在所述電荷輸送性膜中,式(IIa)中的L表示(n+1)價(jià)的連接基團(tuán),所述連接基團(tuán)包括通過(guò)將選自由-O-和-C(=O)-O-組成的組的一種基團(tuán)與選自由亞烷基、亞烯基和源自烷烴或烯烴的三價(jià)或四價(jià)基團(tuán)組成的組的一種以上的基團(tuán)組合而獲得的基團(tuán)。
12.如權(quán)利要求10所述的電子照相感光體,其中,在所述電荷輸送性膜中,所述由式(IIa)表示的基團(tuán)是由下式(IIIa)表示的基團(tuán):
其中,L1表示(n1+1)價(jià)的連接基團(tuán),所述連接基團(tuán)包括通過(guò)將選自由-O-和-C(=O)-O-組成的組的一種基團(tuán)與選自由亞烷基、亞烯基和源自烷烴或烯烴的三價(jià)或四價(jià)基團(tuán)組成的組的一種以上的基團(tuán)組合而獲得的基團(tuán),n1表示1~3的整數(shù),E1表示由式(IIIb)或式(IVb)表示的基團(tuán)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富士施樂(lè)株式會(huì)社,未經(jīng)富士施樂(lè)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201310222795.6/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 通信轉(zhuǎn)換方法、轉(zhuǎn)換裝置及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊





