1.一種改善金屬層-絕緣介質層-金屬層失配參數的方法，其特征在于，所述方法包括：

執行步驟S1：對具有所述金屬銅填充的基底之上表面進行化學機械研磨，并在所述具有所述金屬銅填充的基底之上表面處淀積刻蝕阻擋層；

執行步驟S2：對位于所述器件區處的第一金屬銅上的刻蝕阻擋層進行光刻、刻蝕、清洗，直至暴露位于所述器件區處的第一金屬銅，以形成接觸區域；

執行步驟S3：在所述刻蝕阻擋層之異于所述基底的一側和所述接觸區域之異于所述基底的一側淀積第一氮化鉭；

執行步驟S4：對所述第一氮化鉭進行化學機械研磨；

執行步驟S5：在所述經過化學機械研磨后的第一氮化鉭之異于所述基底的一側淀積絕緣介質層，以形成由所述第一氮化鉭和所述絕緣介質層相鄰的第一接觸界面；

執行步驟S6：在所述絕緣介質層上淀積第二氮化鉭；

執行步驟S7：對所述第二氮化鉭進行光刻、刻蝕、清洗，直至去除位于所述互聯區處的第二氮化鉭和絕緣介質層，以在所述器件區處形成由所述第二氮化鉭和所述絕緣介質層相鄰的第二接觸界面；

執行步驟S8：在所述器件區和所述互連區處實現銅互連。

2.如權利要求1所述的改善金屬層-絕緣介質層-金屬層失配參數的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氮化硅或者碳化硅的其中之一。