[發明專利]晶片級光學傳感器封裝和低剖面照相機模塊以及制造方法有效
| 申請號: | 201310216383.1 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN103456754A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 欒竟恩 | 申請(專利權)人: | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 光學 傳感器 封裝 剖面 照相機 模塊 以及 制造 方法 | ||
1.一種照相機模塊,包括:
半導體裸片;
光學傳感器電路,定位于所述裸片的前部面上;
多個硅通孔,從所述前部面到與所述裸片的所述前部面相對的后部面貫穿所述裸片延伸,所述多個硅通孔中的每個硅通孔與所述裸片的所述前部面上的所述光學傳感器電路電接觸;
透明蓋體,在所述裸片的所述前部面上面耦合至所述裸片,所述透明蓋體具有前部面和后部面,所述透明蓋體的所述后部面面向所述裸片的所述前部面,所述透明蓋體的橫向尺寸與所述裸片的橫向尺寸基本是共同延伸的;
模制化合物層,所述裸片和所述透明蓋體嵌入其中,所述模制化合物層的后部面與所述半導體裸片的后部面處于基本共面,并且所述模制化合物層的前部面與所述透明蓋體的前部面處于基本共面;以及
重分布層,在所述模制化合物層的所述后部面和所述半導體裸片的所述后部面上面延伸,所述重分布層在其后部面上具有多個接觸焊盤,并且多個導電跡線互連所述多個硅通孔中的硅通孔和所述多個接觸焊盤中的接觸焊盤的所選擇的組合。
2.根據權利要求1所述的照相機模塊,包括無源電子部件,嵌入所述模制化合物層中并且具有多個接觸焊盤,每個所述接觸焊盤耦合至所述多個導電跡線中的相應導電跡線。
3.根據權利要求1所述的照相機模塊,包括多個電結構,嵌入所述模制化合物層中并且具有相應接觸表面,所述接觸表面與所述模制化合物層的所述后部面處于共面并且耦合至所述多個導電跡線中的一個或多個導電跡線。
4.根據權利要求3所述的照相機模塊,其中所述多個電結構中的每個電結構選自:在所述光學傳感器組件周圍延伸的電磁屏蔽件、具有暴露于所述模制化合物層的所述前部面處的附加的接觸表面的貫穿晶片連接件、無源電子部件以及附加的半導體裸片。
5.根據權利要求1所述的照相機模塊,包括貫穿晶片連接件,嵌入所述模制化合物層中并且具有位于由所述模制化合物層的所述后部面限定的平面中的第一接觸表面和暴露于所述模制化合物層的所述前部面處的第二接觸表面。
6.根據權利要求1所述的照相機模塊,其中所述模制化合物層和所述透明蓋體的所述前部面限定光學傳感器封裝的前部面。
7.根據權利要求1所述的照相機模塊,包括各向異性的導電粘接劑,定位在所述模制化合物層的所述前部面上并且被配置為放置透鏡組件與暴露于所述模制化合物層的所述前部面處的一個或多個接觸表面電接觸。
8.根據權利要求1所述的照相機模塊,包括透鏡組件,耦合至由所述模制化合物層和所述透明蓋體的所述前部面限定的光學傳感器封裝的前部面。
9.根據權利要求8所述的照相機模塊,包括貫穿晶片連接件,具有暴露于所述模制化合物層的前部處的前接觸表面,并且其中所述透鏡組件包括面向所述光學傳感器封裝的控制接觸表面,并且所述透鏡組件的所述控制接觸表面電耦合至所述貫穿晶片連接件。
10.根據權利要求9所述的照相機模塊,其中所述透鏡組件包括以下中的一個或多個:可調焦距,可由在所述控制接觸表面處的信號控制;可調縮放,可由在所述控制信號連接件處的信號控制;圖像穩定器機構,可由在所述控制接觸表面處的信號控制;電濕潤透鏡,可由在所述控制接觸表面處的信號控制。
11.根據權利要求8所述的照相機模塊,其中所述透鏡組件包括帶有面向所述光學傳感器封裝的屏蔽件接觸表面的電磁屏蔽件,并且其中所述屏蔽件接觸表面經由所述光學傳感器封裝的前接觸表面電耦合至所述光學傳感器封裝的電磁屏蔽件。
12.一種照相機模塊,包括:
重構裸片,包括:
模制化合物層,
半導體裸片,嵌入所述模制化合物層中,所述裸片的后部面位于由所述模制化合物層的后部面限定的平面中,所述半導體裸片具有形成于其前部面上的光學傳感器電路,
透明蓋體,嵌入所述模制化合物層中,所述蓋體的前部面位于由所述模制化合物層的前部面限定的平面中,所述蓋體被定位成在所述裸片的所述前部面上面,所述透明蓋體的橫向尺寸與所述半導體裸片的橫向尺寸基本是共同延伸的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





