1.一種晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?將N型單晶硅硅片進(jìn)行表面化學(xué)清洗、腐蝕制絨；

(2)?將上述硅片的正面進(jìn)行Si離子和B離子注入，在正面形成一層本征非晶硅薄膜；

在硅片的背面進(jìn)行Si離子和B離子注入，在背面形成一層本征非晶硅薄膜；

(3)?對(duì)上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜進(jìn)行回刻；

(4)?在上述硅片正面沉積p型摻雜的非晶硅薄膜層；

(5)?在上述硅片反面沉積n型重?fù)诫s的非晶硅薄膜層；

(6)?在上述硅片的正反兩面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層；

(7)?絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)在硅片表面制備金屬電極，即可得到晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的離子注入的深度為20~30?nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中硅片正面沉積的p型摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~8?nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中硅片背面沉積的n型重?fù)诫s的非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

6.一種晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?將P型單晶硅硅片進(jìn)行表面化學(xué)清洗、腐蝕制絨；

(2)?將上述硅片的正面進(jìn)行Si離子和P離子注入，在正面形成一層本征非晶硅薄膜；

在硅片的背面進(jìn)行Si離子和P離子注入，在背面形成一層本征非晶硅薄膜；

(3)?對(duì)上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜進(jìn)行回刻；

(4)?在上述硅片正面沉積n型摻雜的非晶硅薄膜層；

(5)?在上述硅片反面沉積p型重?fù)诫s的非晶硅薄膜層；

(6)?在上述硅片的正反兩面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層；

(7)?絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)在硅片表面制備金屬電極，即可得到晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的離子注入的深度為20~30?nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中硅片正面沉積的n型摻雜的非晶硅薄膜層的厚度為2~8?nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)中硅片背面沉積的p型重?fù)诫s的非晶硅薄膜層的厚度為2~6?nm。