[發(fā)明專利]用于使雙永磁體同步電機中的去磁最小化的磁屏障有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310208215.8 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN103457374A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R.維亞斯;T.W.內(nèi)爾;A.拉賈拉 | 申請(專利權(quán))人: | 通用汽車環(huán)球科技運作有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H02K1/27 | 分類號: | H02K1/27 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 宋寶庫;楊炯 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 永磁體 同步電機 中的 最小化 屏障 | ||
1.一種用于永磁體同步電機的轉(zhuǎn)子,包括:
具有柱狀本體的轉(zhuǎn)子芯結(jié)構(gòu),所述柱狀本體包括并置到主空隙的轉(zhuǎn)子芯結(jié)構(gòu)的外柱狀壁;
在所述轉(zhuǎn)子芯結(jié)構(gòu)內(nèi)形成的多個弓形空腔,所述多個弓形空腔相對于所述轉(zhuǎn)子芯結(jié)構(gòu)的外柱狀壁大體上同心層疊,在第一與第二端區(qū)段之間延伸的每個弓形空腔都并置到所述轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的外柱狀表面壁并且包括中央?yún)^(qū)段;以及
多個永磁體,所述多個永磁體插入到所述多個弓形空腔內(nèi),其中每個第一端區(qū)段都保持具有第一磁場強度的相應(yīng)的第一永磁體,其中每個第二端區(qū)段都保持具有第一磁場強度的相應(yīng)的第二永磁體,其中每個中央?yún)^(qū)段都保持具有第二磁場強度的相應(yīng)的第三永磁體,所述第二磁場強度小于所述第一磁場強度,其中所述第一磁體和所述第二磁體與所述第三磁體間隔開;
其中相應(yīng)的空腔包括所述第三永磁體與所述第一和第二永磁體之間形成的空隙,其中每個空隙都伴隨有在每個空腔層的壁中形成的凹入,所述凹入在所述第三永磁體與所述第一和第二永磁體之間的界面處徑向向外延伸,并且其中所述空隙生成磁阻以便沿著朝向后面層中的每個第三永磁體的方向來引導(dǎo)由前面層中的每個第三永磁體生成的磁通量流。
2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子,其中所述空氣屏障的凹入包括在尖點處交會的兩個對置的傾斜表面。
3.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述兩個對置的傾斜表面是非對稱的。
4.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述兩個對置的傾斜表面是對稱的。
5.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述第三永磁體設(shè)置成與所述第一永磁體相比更接近于所述凹入的尖點。
6.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述第三永磁體設(shè)置成與所述第二永磁體相比更接近于所述凹入的尖點。
7.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述第三永磁體設(shè)置成與所述第一永磁體相比更遠(yuǎn)離所述凹入的尖點。
8.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述第三永磁體設(shè)置成與所述第二永磁體相比更遠(yuǎn)離所述凹入的尖點。
9.如權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)子,其中所述第三永磁體設(shè)置成與所述第一和第二永磁體相比與所述凹入的尖點距離相同。
10.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)子,其中所述凹入的第一傾斜表面從所述尖點延伸到所述第三永磁體的大體上中間位置,所述中間位置是居中地定位在所述第三永磁體的弓形端之間的點。
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