1.一種窄線寬電極的電子元件制作方法，包括以下步驟：對制作出的電極進行疊層，形成陶瓷生坯，再對所述陶瓷生坯依次完成切割、排膠、燒結、倒角、制作端電極和電鍍，完成電子元件制作，其特征在于：

所述電極是線寬小于50μm、線寬極差在±1.5μm以內、線厚極差±1μm以內的電極，是采用光刻技術制作的光刻電極，其制作步驟如下：

1)制作薄膜基片；

2)涂布并制作感光基片，所述涂布是絲網印刷涂布和噴涂布中的一種，在薄膜基片表面涂布感光性金屬漿料層；

3)制作光刻電極，所述光刻是采用設計有電極圖案的掩膜板對感光基片進行光刻。

2.如權利要求1所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述步驟1)制作薄膜基片有以下子步驟：

1·1)制備混合物粉末狀材料

將重量百分比為35％～45％粉末狀的Al₂O₃和重量百分比為65％～55％的硼硅玻璃的混合制備混合物粉末狀材料；

1·2)將制備的粉末狀材料與異丁醇的酯類溶液攪拌混合，并加入有機粘合劑和分散劑，采用球磨機攪拌，持續9h～11h形成陶瓷漿料；

1·3)通過涂布工藝制作薄膜基片。

3.如權利要求1或2所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述步驟2)涂布并制作感光基片有以下子步驟：

2·1)配備感光性金屬漿料

所述感光性金屬漿料是日本Nirotake公司出品的型號為NP4940B1的光敏銀漿；

2·2)將所述感光性金屬漿料涂布在薄膜基片表面制作感光基片，感光基片的感光性金屬漿料層的厚度為10μm～20μm。

4.如權利要求3所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述步驟3)制作光刻電極有以下子步驟：

3·1)對表面涂布的感光性金屬漿料層曝光

所述曝光是接觸式曝光和投影式曝光中的一種，采用紫外光或高能射線照射覆蓋有電極圖案的掩膜板的感光性金屬漿料層表面制作曝光基片，感光性金屬漿料層中被照射部分的感光樹脂單體發生聚合交聯反應而固化，完成曝光，感光性金屬漿料層中被遮蔽部分保持不變；

3·2)對曝光基片顯影

所述曝光基片顯影是噴淋式顯影和浸泡式顯影中的一種，曝光基片中的被照射部分發生聚合交聯反應而固化，不溶于顯影液得以保留，曝光基片中的被遮蔽部分會發生溶解反應，溶解于顯影液中被除去，制作有電極掩膜圖案的感光基片；

3·3)感光基片清洗

采用自來水清洗感光基片，以除去殘留在感光基片表面的顯影液和殘余的感光性金屬顆粒，制得光刻電極；

3·4)烘干處理

將制得的光刻電極置入烘干設備中，在溫度42℃～48℃下烘干25min～30min，制成電極料片備用。

5.如權利要求4所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述薄膜基片是氧化鋁基片、鐵氧體基片、玻璃膜片、PET膜片中的一種。

6.如權利要求5所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述氧化鋁基片是粉末狀的Al₂O₃和粉末狀的硼硅玻璃的混合物制作的氧化鋁基片。

7.如權利要求6所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述紫外光是波長為365nm的G線紫外光、波長為405nm的H線紫外光和波長為420nm的I線紫外光中的一種，根據感光樹脂對應光感區間選擇。

8.如權利要求7所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述高能射線是電子束、離子束和X射線等中的一種。

9.如權利要求8所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述掩膜板是蘇打材質鉻板、樹脂菲林和石英材質鉻板中的一種；

所述掩膜板的電極圖案設計線寬為19～21μm，且掩膜板的電極圖案中設有定位孔，用于后續疊層對位。

10.如權利要求9所述的窄線寬電極的電子元件制作方法，其特征在于：

所述顯影液是重量百分比為0.3％～0.5％的碳酸鈉去離子水溶液，置于恒溫28℃～32℃環境水浴中保溫。