[發(fā)明專利]一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310192224.2 | 申請日: | 2013-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN103240540A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張麗霞;張大磊;亓鈞雷;石俊秒;馮吉才 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號: | B23K35/24 | 分類號: | B23K35/24;B23K35/40 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109 | 代理人: | 韓末洙 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 sio sub 陶瓷 復合材料 連接 料及 制備 方法 | ||
1.一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的原料按照質(zhì)量百分數(shù)由Cu:50~72%,Sn:13~28%,Ti:5~22%組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于所述的原料的純度為:Cu:≥99.0%,Sn:≥99.0%,Ti:≥99.0%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于Cu、Sn和Ti的粒徑均為300目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的原料按照質(zhì)量百分數(shù)由Cu:68%,Sn:25%,Ti:7%組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的原料按照質(zhì)量百分數(shù)由Cu:65%,Sn:25%,Ti:10%組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料,其特征在于一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的原料按照質(zhì)量百分數(shù)由Cu:70%,Sn:17%,Ti:13%組成。
7.制備權(quán)利要求1所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的方法,其特征在于一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的制備方法,具體是按照以下步驟制備的:
一、按照質(zhì)量百分數(shù)Cu:50~72%,Sn:13~28%,Ti:5~22%,稱取Cu、Sn和Ti,其中Cu、Sn和Ti的粒徑均為300目;
二、在氬氣保護、室溫條件下,將步驟一稱取的Cu、Sn和Ti放入球磨罐中球磨4~5h,得到混合粉末;
三、采用壓片機將步驟二得到的混合粉末壓制成厚度為0.01~2mm的箔片,再用丙酮清洗箔片,然后風干,得到用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基復合材料連接的釬料的制備方法,其特征在于步驟二中控制球磨轉(zhuǎn)速為280~320r/min、球料質(zhì)量比為12~16∶1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱工業(yè)大學,未經(jīng)哈爾濱工業(yè)大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201310192224.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





