技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電磁輻射防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁輻射轉(zhuǎn)換方法、裝置和終端。

背景技術(shù)

隨著移動通信的發(fā)展，手機(jī)等終端設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畋夭豢扇鄙俚耐ㄐ殴ぞ?，給人們帶來很多便利。但是，終端的電磁輻射對人體健康的影響也越來越受到人們的關(guān)注。目前，手機(jī)等終端設(shè)備發(fā)射頻率為0.98GHz～1.8GHz的高頻電磁輻射，作為一種非電離輻射，在相對較低的功率密度輻照時，所述電磁輻射對人體健康的損害是長期的、慢性的。終端的功率越大，使用的越頻繁，終端所產(chǎn)生的電磁輻射對人體健康的損害就越大。因此，如何降低電磁輻射對人體健康造成的傷害尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種電磁輻射轉(zhuǎn)換方法、裝置和終端，可將終端發(fā)射的有害電磁輻射轉(zhuǎn)換成有益于人體健康的電磁輻射。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種電磁輻射轉(zhuǎn)換方法，該方法包括：高頻接收模塊接收高頻電磁輻射，頻率轉(zhuǎn)換模塊將所述高頻電磁輻射轉(zhuǎn)換成低頻電磁輻射，低頻發(fā)射模塊發(fā)射所述頻率轉(zhuǎn)換模塊轉(zhuǎn)換得到的低頻電磁輻射。所述高頻電磁輻射的頻率為：0.3GHz～300GHz。所述低頻電磁輻射的頻率為：7.8Hz～12Hz。

另提供一種電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置，所述裝置包括：用于接收高頻電磁輻射的高頻接收模塊，用于將所述高頻接收模塊接收的高頻電磁輻射轉(zhuǎn)換成低頻電磁輻射的頻率轉(zhuǎn)換模塊，以及用于發(fā)射所述頻率轉(zhuǎn)換模塊轉(zhuǎn)換所得的低頻電磁輻射的低頻發(fā)射模塊。

另提供一種終端，所述終端包括：設(shè)有充電電池和后蓋板的主體、與所述主體卡合連接的蓋體，其特征在于，所述終端還包括設(shè)置于所述主體和/或蓋體上的如上所述的電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置。所述電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置中的高頻接收模塊、頻率轉(zhuǎn)換模塊和低頻發(fā)射模塊均設(shè)置于所述蓋體上。所述蓋體為所述終端的前面板。所述電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置中的高頻接收模塊和頻率轉(zhuǎn)換模塊設(shè)置于所述后蓋板上，所述低頻發(fā)射模塊設(shè)置于所述蓋體上。所述電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置中的高頻接收模塊和頻率轉(zhuǎn)換模塊設(shè)置于所述后蓋板上對應(yīng)終端側(cè)面的位置，所述低頻發(fā)射模塊設(shè)置于所述蓋體上。所述電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置中的高頻接收模塊和頻率轉(zhuǎn)換模塊設(shè)置于所述蓋體上對應(yīng)終端側(cè)面的位置，所述低頻發(fā)射模塊設(shè)置于所述蓋體上。

本發(fā)明提供的電磁輻射轉(zhuǎn)換方法、裝置和終端，高頻接收模塊對終端、或顯示器件、或其他設(shè)備產(chǎn)生的高頻有害電磁輻射進(jìn)行收集，頻率轉(zhuǎn)換模塊將所述高頻電磁輻射轉(zhuǎn)換成低頻電磁輻射，低頻發(fā)射模塊將所述轉(zhuǎn)換得到的低頻電磁輻射發(fā)射出去，所述低頻電磁輻射頻率在7.8Hz～12Hz之間，該頻段的低頻電磁輻射可以深入到人體內(nèi)部的組織，促進(jìn)人體內(nèi)細(xì)胞的水分子產(chǎn)生一種共振，富裕細(xì)胞生命力，加速血液循環(huán)，促進(jìn)新陳代謝，增進(jìn)組織再生能力，且起到活化免疫系統(tǒng)，有效抑制細(xì)胞老化的作用，因此，本發(fā)明不僅可將有害電磁輻射轉(zhuǎn)換成有益于人體健康的電磁輻射，且可起到美容的效果。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述電磁輻射轉(zhuǎn)換方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所述電磁輻射轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的基本思想是：設(shè)置高頻接收模塊接收高頻電磁輻射，頻率轉(zhuǎn)換模塊將所述高頻電磁輻射轉(zhuǎn)換成低頻電磁輻射，低頻發(fā)射模塊發(fā)射所述已轉(zhuǎn)換的低頻電磁輻射。

本發(fā)明中，所述高頻電磁輻射可來自手機(jī)、應(yīng)用產(chǎn)品(APP)、顯示器(Monitor)、便攜式電腦(NB)等終端、或類似電視機(jī)等顯示器件、或其他能產(chǎn)生有害電磁輻射的設(shè)備。

下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所述電磁輻射轉(zhuǎn)換方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖，如圖1所示，包括：

步驟101：高頻接收模塊接收高頻電磁輻射；

具體的，高頻接收模塊對終端、或顯示器件、或其他設(shè)備產(chǎn)生的高頻有害電磁輻射進(jìn)行收集。這里，所述高頻電磁輻射的頻率為：0.3GHz～300GHz。

步驟102：頻率轉(zhuǎn)換模塊將所述高頻電磁輻射轉(zhuǎn)換成低頻電磁輻射；

這里，頻率轉(zhuǎn)換模塊將步驟101中已收集的高頻電磁輻射，例如：將已收集的手機(jī)等終端發(fā)射的頻率為0.98GHz～1.8GHz的高頻電磁輻射，轉(zhuǎn)換成對人體有益的低頻能量，且所述低頻能量以頻率為7.8Hz～12Hz的低頻電磁輻射形式進(jìn)行能量釋放。