1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10~40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅或酞菁釩。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對(duì)可見光的透過率大于90%。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述光取出層的厚度為50~500nm。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供清潔的玻璃基底；

在所述玻璃基底的一面熱阻蒸鍍制備光取出層，之后進(jìn)行保溫退火處理；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10~40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5×10^-5~2×10^-3Pa，速度1~10nm/s；

再在所述玻璃基底另一面磁控濺射制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度1~40W/cm²；

在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5×10^-5~2×10^-3Pa，速度0.1~1nm/s；

在所述電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備金屬陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5×10^-5~2×10^-3Pa，速度1~10nm/s。

7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅或酞菁釩。

8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。

9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對(duì)可見光的透過率大于90%。

10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述光取出層的厚度為50~500nm。