技術領域

本發明涉及半導體存儲器技術領域，特別是涉及一種非易失性存儲器的擦除方法，以及，一種非易失性存儲器的擦除裝置。

背景技術

隨著各種電子裝置及嵌入式系統的迅速發展和廣泛應用，如計算機、個人數字助理、移動電話、數字相機等，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡單，外圍器件少，價格低廉的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器件。非易失性存儲器件就是在這種背景需求下應運而生的。

針對非易失存儲器的一般設計而言，只能以整片、整塊(block)或扇區(sector)的形式刪除，而不能被單字節刪除。

以閃存(Flash?Memory)為例，它是一種基于半導體的存儲器，具有系統掉電后仍可保留內部信息、在線擦寫等功能特點，閃存通過熱電子注入機制實現對器件編程，采用隧道效應實現擦除。

在對非易失存儲器進行擦除時，若某個sector由于擦除次數過多，導致該sector擦除時間變長，在對該sector所在的block進行擦除時，block擦除時間也會變長，最終將導致該block中其他sector由于長時間擦除而產生過擦除的情況，用戶體驗不佳。

因此，本領域技術人員迫切需要解決的問題之一在于，提出了一種非易失性存儲器的擦除機制，用以極大地降低過擦除風險，提高存儲器的擦除準確性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供涉及一種非易失性存儲器的擦除方法，以及，一種非易失性存儲器的擦除裝置，用以減少目標擦除塊的進行擦除時間，減少過擦除的目標擦除扇區。

為了解決上述問題，本發明公開了一種非易失性存儲器擦除的方法，包括：

對目標擦除塊進行預編程操作；所述目標擦除塊中包括多個目標擦除扇區；

針對所述經預編程操作的多個目標擦除扇區施加擦除脈沖進行擦除；

針對所述經過擦除的多個目標擦除扇區進行擦除校驗；

若存在所述擦除校驗失敗的目標擦除扇區，則針對所述擦除校驗失敗的目標擦除扇區施加擦除脈沖繼續擦除，直至所述目標擦除塊中的所有目標擦除扇區擦除校驗成功為止；

針對擦除校驗成功的目標擦除扇區進行過擦除糾正。

優選地，在所述針對經擦除的多個目標擦除扇區進行擦除校驗的步驟之后，還包括：

針對擦除校驗成功的目標擦除扇區分配擦除成功標識；

針對擦除校驗失敗的目標擦除扇區分配擦除失敗標識。

優選地，所述若存在擦除校驗失敗的目標擦除扇區，則針對所述擦除校驗失敗的目標擦除扇區施加擦除脈沖繼續擦除，直至所述目標擦除塊中的所有目標擦除扇區擦除校驗成功為止的步驟包括：

子步驟S1，判斷是否存在擦除失敗標識的目標擦除扇區，若是，則執行子步驟S2，若否，則執行子步驟S4；

子步驟S2，針對所述具有擦除失敗標識的目標擦除扇區施加擦除脈沖繼續擦除；

子步驟S3，針對所述經繼續擦除的目標擦除扇區進行擦除校驗，并針對擦除校驗成功的目標擦除扇區分配擦除成功標識，針對擦除校驗失敗的目標擦除扇區分配擦除失敗標識，然后返回子步驟S1；

子步驟S4，停止施加擦除脈沖，結束當前目標擦除塊的擦除。

優選地，所述的方法還包括：

當施加擦除脈沖的次數達到最大預設擦除次數時，停止施加擦除脈沖，結束當前目標擦除塊的擦除。

優選地，所述針對經擦除的多個目標擦除扇區進行擦除校驗的步驟包括：

對所述目標擦除扇區中存儲單元施加校驗電壓并生成閾值電壓；

判斷所述閾值電壓是否高于預設參考電壓；

若是，則判定針對所述目標擦除扇區的擦除校驗成功；

若否，則判定針對所述目標擦除扇區的擦除校驗失敗。

本發明還提供了一種非易失性存儲器擦除的裝置，包括：

預編程模塊，用于對目標擦除塊進行預編程操作；所述目標擦除塊中包括多個目標擦除扇區；

擦除模塊，用于針對所述經預編程操作的多個目標擦除扇區施加擦除脈沖進行擦除；

擦除校驗模塊，用于針對所述經過擦除的多個目標擦除扇區進行擦除校驗；

擦除判斷模塊，用于若存在所述擦除校驗失敗的目標擦除扇區，則針對所述擦除校驗失敗的目標擦除扇區施加擦除脈沖繼續擦除，直至所述目標擦除塊中的所有目標擦除扇區擦除校驗成功為止；

過擦除糾正模塊，用于針對擦除校驗成功的目標擦除扇區進行過擦除糾正。

優選地，在所述擦除校驗模塊之后，還包括：