技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電熱發(fā)熱材料，尤其涉及一種可撓性電熱發(fā)熱體及其制作方法。

背景技術(shù)

習(xí)知的電熱產(chǎn)品通常使用電熱片、電熱線或電熱管等硬挺、易損、不夠柔軟的發(fā)熱體，此類電熱產(chǎn)品容易發(fā)生受限于發(fā)熱體的外型而發(fā)熱不均勻、不當(dāng)?shù)木砬颊墼斐砂l(fā)熱體的損害、更可能因此造成電線走火等危險(xiǎn)情況，故使用上仍具有諸多不便以及危險(xiǎn)性，而另一新興碳纖維發(fā)熱體雖然可克服上述的不便，但因其制程繁雜、制程具污染性以及成本較高等因素，相關(guān)產(chǎn)品的售價(jià)仍居高不下，導(dǎo)致降低消費(fèi)者購(gòu)買的意愿。

發(fā)明內(nèi)容

為了改善上述的容易損壞、發(fā)熱不均勻、成本較高等缺憾，本發(fā)明提供一種可撓性電熱發(fā)熱體及其制作方法；

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種可撓性電熱發(fā)熱體，包括：一基材，為一絕緣材料；一發(fā)熱金屬鍍膜，沉積于該基材的外層；以及一遠(yuǎn)紅外線碳膜，遠(yuǎn)紅外線碳膜沉積于該發(fā)熱金屬鍍膜的外層；其中，可撓性電熱發(fā)熱體以一真空鍍膜技術(shù)將發(fā)熱金屬鍍膜以及遠(yuǎn)紅外線碳膜堆棧沉積于基材的外層，其絕緣材料可以是高分子纖維布或玻璃纖維布等可撓絕緣材料。

一種可撓性電熱發(fā)熱體的制作方法，包括如下步驟：

a.清潔一基材；

b.沉積一發(fā)熱金屬鍍膜于該基材外層；

c.以一含碳源氣體沉積一遠(yuǎn)紅外線碳膜于該發(fā)熱金屬鍍膜外層；

d.制成一可撓性電熱發(fā)熱體；其中，可撓性電熱發(fā)熱體的制作方法為一真空鍍膜技術(shù)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于利用真空鍍膜技術(shù)將發(fā)熱金屬鍍膜以及遠(yuǎn)紅外線碳膜沉積于可撓的絕緣材料外層，使絕緣材料成為一可撓性電熱發(fā)熱體，不因隨意折迭或人為疏忽造成發(fā)熱體斷裂或損壞，進(jìn)而引發(fā)危險(xiǎn)或?yàn)?zāi)難發(fā)生，具有極佳的安全性。且以真空鍍膜技術(shù)可將發(fā)熱金屬鍍膜以及遠(yuǎn)紅外線碳膜均勻沉積于基材的外層，因此可達(dá)到均勻發(fā)熱的效果。更因?yàn)樘寄ぞ哂羞h(yuǎn)紅外線發(fā)射的特性更使可撓性電熱發(fā)熱體具有活化人體組織的醫(yī)療保健功能，此外，可根據(jù)不同需求沉積抗菌鍍膜或抗電磁波鍍膜等具其他功效的鍍膜，以增加可撓性電熱發(fā)熱體的功效，而利用真空鍍膜技術(shù)則可有效的降低制程復(fù)雜度、成本花費(fèi)、以及環(huán)境污染問題，因此能提高消費(fèi)者使用的意愿，增進(jìn)相關(guān)廠商的收益。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的可撓性電熱發(fā)熱體

圖2為本發(fā)明的制作方法

圖3為本發(fā)明的升溫特性比較圖

圖4為本發(fā)明的遠(yuǎn)紅外線特性比較圖

【主要組件符號(hào)說明】

1可撓性電熱發(fā)熱體??10基材??101發(fā)熱金屬鍍膜??102遠(yuǎn)紅外線碳膜

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明可撓性電熱發(fā)熱體1，其包括一基材10、一發(fā)熱金屬鍍膜101以及一遠(yuǎn)紅外線碳膜102，并以一真空鍍膜技術(shù)將該發(fā)熱金屬鍍膜101以及遠(yuǎn)紅外線碳膜102堆棧沉積于該基材10的外層。基材10為一絕緣材料，該絕緣材料可以是軟板、纖維束、纖維織布或不織布等可撓絕緣材料，其較佳為高分子纖維布或玻璃纖維布等絕緣材料。發(fā)熱金屬鍍膜101用以與電路電性連接后進(jìn)行升溫發(fā)熱，其金屬可以是鈮、鉬、鉭、鎢、錸、鈦、釩、鉻、鋯、鉿、釕、鋨或銥等適合使用于真空鍍膜技術(shù)的難融金屬及其合金，較佳為鎢、鈦、鉻。遠(yuǎn)紅外線碳膜102以真空鍍膜技術(shù)及一含碳源氣體沉積而成，使可撓性電熱發(fā)熱體1具有遠(yuǎn)紅外線發(fā)射的功效，該含碳源氣體可以是乙炔、甲烷、乙烷等氣體，其較佳為乙炔。另外，遠(yuǎn)紅外線碳膜102外層還可根據(jù)不同需求再以真空鍍膜技術(shù)沉積抗菌鍍膜或抗電磁波鍍膜等其他功效的鍍膜，使該可撓性電熱發(fā)熱體1可具有抗菌、抗電磁波等功能，增加該可撓性電熱發(fā)熱體1的功能性，而該真空鍍膜技術(shù)可以是物理氣相沉積法(Physical?Vapor?Deposition,PVD)或化學(xué)氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition,CVD)，其較佳為使用物理氣相沉積法的陰極電弧放電離子鍍膜系統(tǒng)(Cathodic?arc?plasma?system,CAPD)。

請(qǐng)參閱圖2及表一，圖2為本發(fā)明的制作方法并根據(jù)表一的施鍍參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行鍍膜，其步驟如下：

a.清潔一基材10；

該基材10可以是絕緣材料，該絕緣材料可以是軟板、纖維束、纖維織布或不織布等可撓絕緣材料。

b.沉積一發(fā)熱金屬鍍膜101于該基材10外層；

該發(fā)熱金屬鍍膜101使用的金屬可以是鈮、鉬、鉭、鎢、錸、鈦、釩、鉻、鋯、鉿、釕、鋨或銥等難融金屬，其較佳為使用鎢、鈦、鉻。