技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及SRAM存儲(chǔ)卡以及電壓監(jiān)視電路。

背景技術(shù)

由電池后備支持(backup)的SRAM(Static?Random?Access?Memory)存儲(chǔ)卡可拆卸地安裝于PLC(Programmable?Logic?Controller)等裝置。如果SRAM存儲(chǔ)卡在安裝于裝置時(shí)從裝置接收數(shù)據(jù)，則將接收的數(shù)據(jù)作為備份用而保持。在該SRAM存儲(chǔ)卡中，如果電池的電壓比某電平低，則SRAM等的電路就無法保持?jǐn)?shù)據(jù)，存在數(shù)據(jù)消失的可能性。為了防止上述情況發(fā)生，由電池后備支持的SRAM存儲(chǔ)卡形成為，如果由電池電壓檢測電路檢測出電池電壓的下降，則將ON值的警報(bào)信號(hào)輸出至裝置，從裝置側(cè)進(jìn)行提示用戶更換電池的告知。如果該SRAM存儲(chǔ)卡振動(dòng)，則有時(shí)會(huì)瞬間地產(chǎn)生電池接觸不良，電池電壓檢測電路錯(cuò)誤地檢測出電池電壓的下降，誤輸出ON值的警報(bào)信號(hào)。為了防止該瞬間性的警報(bào)信號(hào)的誤輸出，在由電池后備支持的SRAM存儲(chǔ)卡中，與電池并聯(lián)地設(shè)置防振電路，在發(fā)生振顫(chattering)時(shí)，防振電路代替電池而將電壓供給至SRAM等的電路。

另一方面，在專利文獻(xiàn)1中記載有如下技術(shù)，即，在防振電路中，如果在外部開關(guān)接通時(shí)，對電容器的電壓和電阻所分壓的電壓進(jìn)行比較的比較器的輸出反轉(zhuǎn)，則基極與比較器的輸出連接的NPN晶體管接通，通過電流反射鏡將其發(fā)射極電流供給至與電容器的兩端連接的NPN晶體管的基極。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)1，由于快速地將電容器放電，因此能夠防止在電容器的閾值附近發(fā)生振顫。

在專利文獻(xiàn)2中記載有如下技術(shù)，即，在除振電路中，如果在對開關(guān)進(jìn)行接通操作后，具有遲滯特性的逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)的電位從高電位下降至作為中間電位的第2電平，則逆變器的輸出從低電位反轉(zhuǎn)為高電位，晶體管進(jìn)行接通動(dòng)作，將與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接的電容器快速放電，其中，該晶體管的基極與逆變器的輸出側(cè)連接，集電極與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接，發(fā)射極與接地電位連接。另外，如果在對開關(guān)進(jìn)行斷開操作后，逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)的電位從低電位上升至作為中間電位的第1電平，則逆變器的輸出從高電位反轉(zhuǎn)為低電位，晶體管進(jìn)行接通動(dòng)作，將與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接的電容器快速充電，其中，該晶體管的基極與逆變器的輸出側(cè)連接，集電極與逆變器的輸入節(jié)點(diǎn)連接，發(fā)射極與電源電位連接。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)2，由于將電容器快速充電/放電，因此，即使在振顫現(xiàn)象長時(shí)間持續(xù)的情況下，也不會(huì)使電容器成為滿充電，能夠可靠地去除振顫信號(hào)。

在專利文獻(xiàn)3中記載有如下技術(shù)，即，在小型電子設(shè)備的電源電路中，將電池脫落信號(hào)、接通/斷開信號(hào)以及電壓檢測器的輸出信號(hào)的邏輯積輸入至晶體管的基極，其中，該電池脫落信號(hào)是如果電池從電源安裝部脫落則變?yōu)椤癏”電平的信號(hào)，該接通/斷開信號(hào)是與電源開關(guān)的接通狀態(tài)對應(yīng)而變?yōu)椤癏”電平的信號(hào)，該電壓檢測器的輸出信號(hào)是在Vcc端子的電壓供給電平達(dá)到CPU的可動(dòng)作電壓的狀態(tài)下變?yōu)椤癏”電平的信號(hào)，該晶體管的集電極與Vcc端子連接，發(fā)射極與GND端子連接。由此，根據(jù)專利文獻(xiàn)3，在電池從電源安裝部脫落的情況下，由于設(shè)備電路內(nèi)的電容器中的積蓄電荷從Vcc端子向GND端子進(jìn)行放電，因此，不會(huì)由于電容器的積蓄電荷而使得CPU誤動(dòng)作，能夠事先預(yù)防存儲(chǔ)器損壞等問題的發(fā)生。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平4–145715號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本實(shí)開平5–46122號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本實(shí)開平4–86052號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)，不存在與電池相關(guān)的任何記載，不存在與電池的安裝狀態(tài)的誤檢測相關(guān)的任何記載，也不存在與如何降低電池的消耗電力相關(guān)的任何記載。即使假設(shè)專利文獻(xiàn)1所記載的恒電流源及專利文獻(xiàn)2所記載的直流電源是電池，但在專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，以始終進(jìn)行電容器的充電/放電為前提，難于抑制來自電容器的每單位時(shí)間的放電量，難于降低電池的消耗電力。

另外，對于專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)，由于以能夠正確地檢測出電池是否安裝在電源安裝部為前提，因此不存在與電池的安裝狀態(tài)的誤檢測相關(guān)的任何記載。另外，對于專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)，由于是與減少當(dāng)電池從電源安裝部脫落時(shí)的CPU的誤動(dòng)作相關(guān)的技術(shù)，因此幾乎不存在關(guān)于電池被安裝后的狀態(tài)的記載，由此，也不存在與如何降低電池的消耗電力相關(guān)的任何記載。

本發(fā)明就是鑒于上述情況而提出的，其目的在于獲得一種SRAM存儲(chǔ)卡以及電壓監(jiān)視電路，能夠減少對電池未安裝時(shí)的電池的安裝狀態(tài)的誤檢測，能夠降低電池安裝時(shí)的電池的消耗電力。