1.一種等離子體處理設備，所述等離子體處理設備包含：

處理腔室，所述處理腔室具有內部處理容積；

第一RF線圈，所述第一RF線圈接近所述處理腔室設置，以將RF能量耦合至所述處理容積中；

第二RF線圈，所述第二RF線圈接近所述處理腔室設置，以將RF能量耦合至所述處理容積中，所述第二RF線圈相對于所述第一RF線圈同軸地設置；

第三RF線圈，所述第三RF線圈接近所述處理腔室設置，以將RF能量耦合至所述處理容積中，所述第三RF線圈相對于所述第一RF線圈及所述第二RF線圈同軸地設置；及

至少一個鐵氧體遮罩，所述至少一個鐵氧體遮罩接近所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少一個設置，其中所述鐵氧體遮罩經配置以局部圍束通過RF電流所產生的磁場，所述RF電流經由所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈流向所述處理腔室，

其中所述等離子體處理設備經配置以使得當RF電流流經這些RF線圈中的每一RF線圈時，所述RF電流經由所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少一個相對于所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少另一個為異相(out-of-phase)流動，或者所述RF電流的相位可經選擇性地控制以在所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少一個中相對于所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少另一個為同相(in-phase)或異相。

2.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩為可移動的。

3.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩可垂直地移動，以覆蓋所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少一個的至少一部分。

4.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩為方位不對稱，且所述至少一個鐵氧體遮罩可旋轉移動以改變方位不對稱的定向。

5.如權利要求2所述的等離子體處理設備，所述等離子體處理設備進一步包含：

鐵氧體遮罩控制器，所述鐵氧體遮罩控制器用于控制所述至少一個鐵氧體遮罩移動至所要位置。

6.如權利要求2所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩包括用于所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的每一RF線圈的單獨鐵氧體遮罩，且其中這些單獨鐵氧體遮罩中的每一個是獨立可移動且可控制的。

7.如權利要求6所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩僅包括用于所述第一RF線圈的第一鐵氧體遮罩及用于所述第三RF線圈的第二鐵氧體遮罩，其中所述第一鐵氧體遮罩及所述第二鐵氧體遮罩中的每一個是獨立可移動且可控制的。

8.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩是固定鐵氧體線，所述固定鐵氧體線耦接至所述第一RF線圈、所述第二RF線圈或所述第三RF線圈中的至少一個的至少一部分。

9.如權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述至少一個鐵氧體遮罩包含第一組(a?first?plurality?of)垂直桿及第二組(a?second?plurality?of)垂直桿，所述第一組垂直桿鄰近給定RF線圈的第一側上的所述給定RF線圈設置，所述第二組垂直桿鄰近所述給定RF線圈的與所述第一側相對的第二側上的給定RF線圈設置。

10.如權利要求9所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述第一組垂直桿及所述第二組垂直桿沿所述給定RF線圈的完整(entire)周邊布置。

11.如權利要求9所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述第一組垂直桿及所述第二組垂直桿沿所述給定RF線圈的不完整(less?than?the?entire)周邊布置。

12.如權利要求9所述的等離子體處理設備，其特征在于，所述第一組垂直桿及所述第二組垂直桿至少包括第一單獨垂直桿，所述第一單獨垂直桿與至少第二單獨垂直桿的不同在于以下至少一者中：直徑、相對于相鄰垂直桿的距離、相對于所述給定RF線圈的距離或磁導率。