[發明專利]電極結構和用于制造電極的方法在審
| 申請號: | 201280047780.4 | 申請日: | 2012-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN103827984A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 崔準洛;文鐘云;柳永先;蔡京勳 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01B13/00 | 分類號: | H01B13/00;H01B5/14;G06F3/041;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 結構 用于 制造 方法 | ||
1.一種用于制造電極的方法,所述方法包括:
形成第一納米線和第二納米線;
將所述第一納米線和所述第二納米線布置在襯底上;以及
將所述第一納米線和所述第二納米線彼此接合。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一納米線和所述第二納米線被接合成彼此交叉。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,通過相對于所述襯底來執行光處理或熱處理來執行所述第一納米線和第二納米線的彼此接合。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,通過將所述第一納米線和所述第二納米線涂敷在所述襯底上并且將被涂敷的襯底干燥來執行將所述第一納米線和所述第二納米線布置在所述襯底上。
5.根據權利要求3所述的方法,其中,在5J至50J的能量下執行光處理。
6.根據權利要求3所述的方法,其中,在150℃至300℃的溫度下執行熱處理。
7.根據權利要求1所述的方法,進一步包括將第三納米線和第四納米線布置在所述襯底上,其中,在與所述第二納米線和所述第四納米線交叉的同時,所述第一納米線接合到所述第二納米線和所述第四納米線,并且在與所述第一納米線和所述第三納米線交叉的同時,所述第二納米線接合到所述第一納米線和所述第三納米線。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一納米線和所述第二納米線具有在10nm至200nm的范圍中的直徑,并且具有在10微米至100微米的范圍中的長度。
9.一種電極結構,包括:
襯底;
布置在所述襯底上的第一納米線;以及
布置在所述襯底上的第二納米線,
其中,所述第一納米線與所述第二納米線交叉,并且,所述第一納米線和所述第二納米線彼此接合。
10.根據權利要求9所述的電極結構,其中,所述第一納米線和所述第二納米線具有在10nm至200nm的范圍中的直徑,并且具有在10微米至100微米的范圍中的長度。
11.根據權利要求9所述的電極結構,進一步包括第三納米線和第四納米線,其中,在與所述第二納米線和所述第四納米線交叉的同時,所述第一納米線接合到所述第二納米線和所述第四納米線,并且在與所述第一納米線和所述第三納米線交叉的同時,所述第二納米線接合到所述第一納米線和所述第三納米線。
12.一種觸摸板,包括:
第一襯底;
布置在所述第一襯底上的第一電極;
與所述第一襯底間隔開的第二襯底;
布置在所述第二襯底上的第二電極;以及
連接到所述第一電極和第二電極的控制器,
其中,所述第一電極或所述第二電極包括第一納米線和與所述第一納米線交叉的第二納米線,并且所述第一納米線和所述第二納米線彼此接合。
13.根據權利要求12所述的觸摸板,其中,所述第一納米線和所述第二納米線具有在10nm至200nm的范圍中的直徑,并且具有10微米至100微米的范圍中的長度。
14.根據權利要求12所述的電極結構,進一步包括第三納米線和第四納米線,其中,在與所述第二納米線和所述第四納米線交叉的同時,所述第一納米線接合到所述第二納米線和所述第四納米線,并且在與所述第一納米線和所述第三納米線交叉的同時,所述第二納米線接合到所述第一納米線和所述第三納米線。
15.一種太陽能電池,包括:
襯底;
布置在所述襯底上的第一電極;
布置在所述襯底上的第二電極;
布置在所述第一電極上的光吸收層;以及
連接到所述第一電極和所述第二電極的電池,
其中,所述第一電極或所述第二電極包括第一納米線和第二納米線,并且,所述第一納米線和所述第二納米線彼此接合。
16.根據權利要求15所述的太陽能電池,其中,所述第一納米線和所述第二納米線具有在10nm至200nm的范圍中的直徑,并且具有10微米至100微米的范圍中的長度。
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