[實(shí)用新型]一種區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220611066.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202968738U | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曲翔;梁書正 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司;國(guó)泰半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B13/00 | 分類號(hào)： | C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 100088 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 區(qū)熔法 生長(zhǎng) 摻雜 硅單晶用 反射 | ||
1.一種區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，包括反射器主體，其特征在于：該反射器主體上連接有氣體發(fā)射器，該氣體發(fā)射器包括銅質(zhì)鍍銀的環(huán)形管，環(huán)形管上開有數(shù)個(gè)氣孔，該環(huán)形管的兩端分別設(shè)有進(jìn)氣閥和泄壓閥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述反射器主體與氣體發(fā)射器之間通過銷釘或螺絲固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述反射器主體與氣體發(fā)射器為一體成型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述環(huán)形管上的氣孔為等間距均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述環(huán)形管上的氣孔為非均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述氣孔的數(shù)量為1～1000。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述氣孔的形狀為圓形、橢圓形、方形或不規(guī)則形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的區(qū)熔法生長(zhǎng)氣相摻雜硅單晶用反射器，其特征在于：所述氣體發(fā)射器發(fā)出的氣體壓力為0.3～0.7MPa。
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