[實用新型]一種銅銦鎵硒太陽能電池有效
| 申請號： | 201220321401.3 | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN202721169U | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;馬給民;保羅·比帝;向光;王蕓 | 申請（專利權）人： | 廣東凱盛光伏技術研究院有限公司;東莞日陣薄膜光伏技術有限公司;廣東凱盛光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0749 | 分類號： | H01L31/0749;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省東莞市松山湖科技*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 銅銦鎵硒 太陽能電池 | ||
1.一種銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：它包括鈉鈣玻璃基板(1)和銅銦鎵硒薄膜層(3)，銅銦鎵硒薄膜層(3)電鍍在鈉鈣玻璃基板(1)上。
2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述鈉鈣玻璃基板(1)和銅銦鎵硒薄膜層(3)中間鍍有約0.35微米厚鉬薄膜(2)。
3.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述銅銦鎵硒薄膜層(3)的上表面設置“p-n結”區域(11)。
4.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述銅銦鎵硒薄膜層(3)上面鍍有0.05微米厚的硫化鎘(4)。
5.根據權利要求4所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述硫化鎘(4)上鍍有約0.1微米厚的絕緣層氧化鋅(5)。
6.根據權利要求5所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述氧化鋅(5)上鍍有約0.35微米厚的導電透明的氧化鋅參鋁(6)。
7.根據權利要求6所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述氧化鋅參鋁(6)上表面鍍約0.05微米厚的鎳(7)。
8.根據權利要求7所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述鎳(7)上面設有約3.0微米厚鋁膜(8)。
9.根據權利要求8所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述鋁膜(8)上面鍍有約0.05微米厚保護鋁的一層保護鎳(9)。
10.根據權利要求9所述的銅銦鎵硒太陽能電池，其特征在于：所述保護鎳(9)上面鍍有約1.0至4.0毫米厚，或3.2毫米標準厚度的鈉鈣覆蓋玻璃(10)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東凱盛光伏技術研究院有限公司;東莞日陣薄膜光伏技術有限公司;廣東凱盛光電科技有限公司，未經廣東凱盛光伏技術研究院有限公司;東莞日陣薄膜光伏技術有限公司;廣東凱盛光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201220321401.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種電子煙的氣流檢測處理裝置及一種電子煙
- 下一篇：一種計算機機箱
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
