1.一種用于生成可調(diào)帶隙參考電壓的設(shè)備，其特征在于包括：第一裝置，用于生成與絕對溫度成正比的電流，包括第一處理裝置，所述第一處理裝置連接到芯(CR)的端子并且設(shè)計成均衡在所述芯的所述端子兩端的電壓；第二裝置，用于生成與絕對溫度成反比的電流(Ictat)，連接到所述芯；以及輸出模塊(MDS)，設(shè)計成生成所述參考電壓(VBG)，其特征在于，所述第一處理裝置包括第一放大器(AMP1)和反饋級(ETR)，所述第一放大器擁有至少一個第一級(ET1)，所述第一級基于所述與絕對溫度成反比的電流來偏置、根據(jù)折疊設(shè)置來布置并且包括根據(jù)共同柵極設(shè)置布置的第一PMOS晶體管(M3，M4)，所述反饋級的輸入連接到所述放大器的輸出而所述反饋級的輸出連接到所述第一級的輸入以及所述芯的至少一個端子(BE1，BE2)，所述第二生成裝置包括連接到所述芯的端子(BE2)并且與所述第一放大器(AMP1)分離的跟隨放大器設(shè)置(AMP2，M15)，并且所述輸出模塊(MDS)連接到所述反饋級。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述第一放大器(AMP1)為差動輸入單輸出放大器，并且所述反饋級(ETR)為單輸入差動輸出反饋級。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的設(shè)備，其特征在于偏置回路(BPL)連接于所述第二生成裝置與所述第一放大器(AMP1)的所述第一級(ET1)之間，并且設(shè)計成基于所述與絕對溫度成反比的電流(Ictat)偏置所述第一級(ET1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于所述第一級(ET1)包括連接于所述芯的所述兩個端子(BE1，BE2)與參考電壓(B2)之間的至少一個差動成對支路，并且所述偏置回路(BPL)被設(shè)計成使從所述與絕對溫度成反比的電流汲取的偏置電流(Ictat)流動于每個差動成對支路中，流動于所述反饋級中的中間電流為所述與絕對溫度成正比的電流(Iptat)與流動于每個差動成對支路中的每個偏置電流(Ictat)之和。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于所述跟隨放大器設(shè)置包括第二放大器(AMP2)和連接于所述第二放大器(AMP2)的輸出與所述第二放大器的輸入(+)之間的反饋晶體管(M15)，并且所述第二生成裝置還包括與所述反饋電阻器(M15)串聯(lián)連接的第一電阻電路(CRS1)，所述第一級(ET1)在差動成對支路內(nèi)包括與成對第一PMOS晶體管(M3，M4)串聯(lián)連接的成對NMOS偏置晶體管(M7，M8)，并且所述偏置回路(BPL)包括所述反饋晶體管(M15)、與所述反饋晶體管(M15)一起形成第一電流復制裝置的第一附加晶體管(M16)、所述成對NMOS偏置晶體管(M7，M8)并且設(shè)計成使與所述與絕對溫度成反比的電流或者與這一與絕對溫度成反比的電流的一部分(Ictat/2)相等的偏置電流(Ictat)流動于每個差動成對支路中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于所述反饋級(ETR)包括由其柵極相互連接的成對第二PMOS晶體管(M1，M2)，所述第二晶體管(M1，M2)的相應源極連接到電源端子(B1)，所述第二PMOS晶體管(M1，M2)的漏極分別鏈接到所述芯的所述兩個端子(BE1，BE2)，并且所述輸出模塊(MDS)包括第二電阻電路(CRS2)，所述第二電阻電路包括第二附加PMOS晶體管(M19)，所述第二附加PMOS晶體管與所述反饋級的所述第二PMOS晶體管(M1，M2)一起形成第二復制裝置(M1，M2，M19)，所述第二復制裝置被配置成在所述第二電阻電路(CRS2)中遞送與所述中間電流或者所述中間電流的倍數(shù)或者約數(shù)相等的復制電流(Iptat+Ictat)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于還包括：第一輔助晶體管(M17)，與所述第一附加晶體管(M16)一起形成第一共源共柵設(shè)置；以及第二輔助晶體管(M29)，與所述第二電阻電路的所述第二附加PMOS晶體管(M18)一起形成第二共源共柵設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述第一放大器(AMP1)包括在共同源極型設(shè)置中布置的并且連接于所述第一級(ET1)的輸出(BS1)與所述反饋級(ETR)的輸入之間的反相器級(ET2)，所述反相器級(ET2)的輸出(BS2)形成所述放大器的輸出。