1.一種單基島露出型單圈單芯片正裝靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：它包括基島（1）和引腳（2），所述基島（1）與引腳（2）之間設置有靜電釋放圈（10），所述基島（1）正面通過導電或不導電粘結物質（3）設置有芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間以及芯片（4）正面與靜電釋放圈（10）之間用金屬線（5）相連接，所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（4）和金屬線（5）外均包封有塑封料（6），所述基島（1）和引腳（2）下部的塑封料（6）表面上開設有小孔（7），所述小孔（7）與基島（1）或引腳（2）背面相連通，所述小孔（7）內設置有金屬球（9），所述金屬球（9）與基島（1）或引腳（2）背面相接觸。

2.根據權利要求1所述的一種單基島露出型單圈單芯片正裝靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：所述金屬球（9）與基島（1）或引腳（2）背面之間設置有金屬保護層（8）。

3.根據權利要求1所述的一種單基島露出型單圈單芯片正裝靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

4.根據權利要求1所述的一種單基島露出型單圈單芯片正裝靜電釋放圈封裝結構，其特征在于：所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。