技術領域

本實用新型涉及一種單基島露出型單圈單芯片倒裝封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統的高密度基板封裝結構的制造工藝流程如下所示：

步驟一、參見圖3，取一玻璃纖維材料制成的基板，

步驟二、參見圖4，在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔，

步驟三、參見圖5，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔，

步驟四、參見圖6，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導電物質，

步驟五、參見圖7，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，

步驟六、參見圖8，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，

步驟七、參見圖9，將光阻膜在需要的位置進行曝光顯影開窗，

步驟八、參見圖10，將完成開窗的部分進行蝕刻，

步驟九、參見圖11，將基板表面的光阻膜剝除，

步驟十、參見圖12，在銅箔線路層的表面進行防焊漆（俗稱綠漆）的披覆，

步驟十一、參見圖13，在防焊漆需要進行后工序的裝片以及打線鍵合的區域進行開窗，

步驟十二、參見圖14，在步驟十一進行開窗的區域進行電鍍，相對形成基島和引腳，

步驟十三、完成后續的裝片、打線、包封、切割等相關工序。

上述傳統高密度基板封裝結構存在以下不足和缺陷：

1、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；

2、因為必須要用到玻璃纖維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間；

3、玻璃纖維本身就是一種發泡物質，所以容易因為放置的時間與環境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性的等級；

4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因為蝕刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙（參見圖15，最好的制作能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度），所以無法真正的做到高密度線路的設計與制造；

5、因為必須要使用到銅箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；

6、也因為整個基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm，無法真正的做到超薄的封裝；

7、傳統玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術因為材質特性差異很大（膨脹系數），在惡劣環境的工序中容易造成應力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種單基島露出型單圈單芯片倒裝封裝結構，其工藝簡單，不需使用玻璃纖維層，減少了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設計和制造。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種單基島露出型單圈單芯片倒裝封裝結構，它包括基島、引腳和芯片，所述芯片倒裝于基島和引腳正面，所述芯片底部與基島和引腳正面之間設置有底部填充膠，所述基島外圍的區域、基島和引腳之間的區域、引腳與引腳之間的區域、基島和引腳上部的區域、基島和引腳下部的區域以及芯片外均包封有塑封料，所述基島和引腳下部的塑封料表面上開設有小孔，所述小孔與基島或引腳背面相連通，所述小孔內設置有金屬球，所述金屬球與基島或引腳背面相接觸。

所述金屬球與基島或引腳背面之間設置有金屬保護層。

所述基島包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

與現有技術相比，本實用新型具有以下有益效果：

1、本實用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帶來的成本；

2、本實用新型沒有使用玻璃纖維層的發泡物質，所以可靠性的等級可以再提高，相對對封裝體的安全性就會提高；

3、本實用新型不需要使用玻璃纖維層物質，所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來的環境污染；

4、本實用新型的二維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的總厚度約在10~15μm，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達到25μm以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內引腳線路平鋪的技術能力；