[實(shí)用新型]真空腔有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220201550.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202633249U | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樸宇鐘;樸希偵 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 麗佳達(dá)普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陳英俊 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 空腔 | ||
1.一種真空腔，其包括：
外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；
排氣槽，形成在所述外殼的內(nèi)側(cè)面上；
排氣孔，形成在所述排氣槽的一面上，并貫穿所述外殼；以及
排氣泵，與所述排氣孔連接，用于排出所述外殼內(nèi)部的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣槽的截面積大于所述排氣孔的截面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣孔與所述排氣槽形成臺(tái)階。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣槽的外輪廓形成為圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣槽的外輪廓形成為多邊形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣槽的外輪廓形成為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，所述排氣槽具有：
主槽以及從所述主槽的一側(cè)向所述外殼的內(nèi)側(cè)方向延伸形成的突出槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空腔，其特征在于，
所述突出槽的寬度小于所述主槽的寬度，所述突出槽與所述主槽形成臺(tái)階。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的真空腔，其特征在于，
所述突出槽的外輪廓形成為矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的真空腔，其特征在于，
所述突出槽的一側(cè)的外輪廓形成為圓弧形。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的真空腔，其特征在于，
在所述外殼內(nèi)的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺(tái)，所述突出槽的至少一部分位于所述工作臺(tái)的下部。
12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的真空腔，其特征在于，
在所述外殼內(nèi)的所述空間中具有用于支承所述被處理體的工作臺(tái)，所述突出槽位于所述工作臺(tái)下部的外側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣孔的外輪廓形成為圓形。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣孔的外輪廓形成為多邊形。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的真空腔，其特征在于，
所述排氣孔的外輪廓形成為矩形。
16.一種真空腔，其包括：
外殼，具有用于收容或移送被處理體的空間；
排氣部，在所述外殼的一面上貫穿形成，內(nèi)側(cè)面折曲形成為具有規(guī)定級(jí)差的多級(jí)臺(tái)階；
排氣泵，與所述排氣部連接，用于排出所述外殼內(nèi)部的氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
