技術領域

本實用新型涉及光伏電池上鍍膜PECVD設備技術領域，更具體地說，涉及一種PECVD沉積槽。

背景技術

光伏電池生產過程中，需要在光伏電池的半成品電池即硅片的表面鍍上一層減反射膜。目前，采用化學氣相沉積(CVD，Chemical?Vapor?Deposition)的方法在硅電池片表面形成減反射膜。化學氣相沉積方法，即采用化學方法使氣體在基體材料表面發生化學反應并形成覆蓋層的方法。

為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種化學氣相沉積稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD，Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)。該方法借助微波或射頻等使含有薄膜組成的原子的氣體電離，在局部形成等離子體，由于等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在硅電池片上沉積出所期望的薄膜。

鏈式上鍍膜PECVD工藝腔室中，將硅電池片放置在沉積槽內，氫化硅(SiH4)和氨氣(NH3)在等離子狀態下，在硅電池片的表面形成氮化硅(SiN)膜，增強了硅電池片對太陽光線的吸收，減少了反射。從而，在一定程度上提高了硅電池片將光能轉換為電能的轉換效率。

目前，沉積槽一般采用不銹鋼板壓制成型，不作表面處理，直接將其應用于鍍膜中。在硅電池片表面鍍膜的過程中，氮化硅不可避免的會沉積到沉積槽表面，在沉積槽表面形成氮化硅粉末。由于沉積槽表面未作任何處理，其表面的粗糙度較低，且不銹鋼的吸附能力也較低，使得氮化硅粉末沉積的較多時較易脫離沉積槽并掉落到硅電池片表面，嚴重影響了鍍膜的質量，最終降低了硅電池片將光能轉換為電能的轉換效率。

綜上所述，如何減少氮化硅對硅電池片鍍膜質量的影響，進而提高硅電池片將光能轉換為電能的轉換效率，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種PECVD沉積槽，提高了PECVD沉積槽頂面的粗糙度和吸附能力，使得沉積在PECVD沉積槽頂面的氮化硅量較難脫落，進而減小了氮化硅對硅電池片鍍膜質量的影響，提高了硅電池片將光能轉換為電能的轉換效率。

為了達到上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種PECVD沉積槽，包括：PECVD沉積槽本體，覆蓋于所述PECVD沉積槽本體頂面的噴砂層和覆蓋于所述噴砂層頂面的鍍鋁層。

優選的，上述PECVD沉積槽中，所述噴砂層的粗糙度不小于800μm。

優選的，上述PECVD沉積槽中，所述鍍鋁層的粗糙度不小于800μm。

優選的，上述PECVD沉積槽中，所述鍍鋁層的厚度在2-5μm之間。

優選的，上述PECVD沉積槽中，所述PECVD沉積槽本體為316不銹鋼板槽。

優選的，上述PECVD沉積槽中，所述PECVD沉積槽本體的厚度為1.2mm。

本實用新型提供的PECVD沉積槽，包括：PECVD沉積槽本體，覆蓋于PECVD沉積槽本體頂面的噴砂層和覆蓋于噴砂層頂面的鍍鋁層。上述PECVD沉積槽，通過噴砂層提高了該PECVD沉積槽頂面的粗糙度，鍍鋁層增強了PECVD沉積槽頂面的吸附能力，使得沉積在PECVD沉積槽頂面的氮化硅較難脫離PECVD沉積槽頂面，減少了脫離PECVD沉積槽的氮化硅量，即減少了落在硅電池片上的氮化硅量，進而減小了氮化硅對硅電池片鍍膜質量的影響，提高了硅電池片將光能轉換為電能的轉換效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的PECVD沉積槽的結構示意圖；

圖2為圖1中A部分的放大結構示意圖。

上圖1-圖2中：

PECVD沉積槽本體1、噴砂層2、鍍鋁層3。

具體實施方式

為了引用和清楚起見，現在將本專利中涉及到的技術名詞解釋如下：