技術領域

本發明一般涉及存儲設備，尤其涉及設定讀取模擬存儲單元的閾值的方法和系統。

背景技術

幾種存儲設備，比如閃速存儲器利用模擬存儲單元的陣列來保存數據。每個模擬存儲單元保持代表保存在該存儲單元中的數據的一定水平的給定物理量，比如電荷或電壓。所述物理量的水平也被稱為模擬存儲值或者模擬值。在閃速存儲器中，例如，每個模擬存儲單元保持一定量的電荷。可能模擬值的范圍一般被分成多個區域，每個區域對應于代表一個或多個數據比特值的編程狀態或編程層次。通過寫入對應于一個或多個期望比特的標稱模擬值，把數據寫入模擬存儲單元中。

通常稱為單階存儲單元(SLC)設備的一些存儲設備在每個存儲單元中保存單一比特的信息，即，每個存儲單元可被編程呈現兩種可能的存儲狀態。通常稱為多階存儲單元的更高密度的設備每個存儲單元保存兩個或者更多的比特，即，可被編程呈現兩種以上的可能的存儲狀態。

例如在Bez等的“Introduction?to?Flash?Memory”(Proceedings?of?the?IEEE,volume91,number4，2003年4月，第489-502頁)中描述了閃速存儲設備，該論文在此引為參考。例如在Eitan等的“Multilevel?Flash?Cells?and?their?Trade-Offs”(Proceedings?of?the1996IEEE?International?Electron?Devices?Meeting(IEDM),New?York,New?York，第169-172頁)中描述了多階閃速存儲單元和設備，該論文在此引為參考。該論文比較了幾種多階閃速存儲單元，比如commonground，DINOR，AND，NOR和NAND單元。

Eitan等在“Can?NROM,a2-bit,Trapping?Storage?NVM?Cell,Give?a?Real?Challenge?to?Floating?Gate?Cells?”(Proceedings?of?the1999International?Conference?on?Solid?State?Devices?and?Materials(SSDM),Tokyo,Japan，1999年9月21-24日，第522-524頁)中描述了另一種稱為氮化物只讀存儲器(NROM)的模擬存儲單元，該論文在此引為參考。Maayan等在“A512Mb?NROM?Flash?Data?Storage?Memory?with8MB/s?Data?Rate”(Proceedings?of?the2002IEEE?International?Solid-State?Circuits?Conference(ISSCC2002),San?Francisco,California，2002年2月3-7日，第100-101頁)中，也披露了NROM單元，該論文在此引為參考。其它例證類型的模擬存儲單元是浮柵(FG)單元、鐵電RAM(FRAM)單元、磁性RAM(MRAM)單元、電荷捕獲閃速(CTF)和相變RAM(PRAM，也稱為相變存儲器-PCM)單元。例如，在Kim和Koh的“Future?Memory?Technology?including?Emerging?New?Memories”(Proceedings?of?the24^thInternational?Conference?on?Microelectronics(MIEL),Nis,Serbia?and?Montenegro，2004年5月16-19日，volume1，第377-384頁)中描述了FRAM、MRAM和PRAM單元，該論文在此引為參考。

本領域中已知設定讀取模擬存儲單元的讀取閾值和其它讀取參數的各種技術。例如，其公開內容在此引為參考的美國專利申請公開2009/0199074披露了一種操作包括模擬存儲單元的存儲器的方法。該方法包括用可用多個方程表示的糾錯碼(ECC)對數據編碼。通過把相應的輸入存儲值寫入一組模擬存儲單元中的各個存儲單元中，把編碼數據保存在所述一組模擬存儲單元中。通過把一個或多個不同的相應讀取參數用于每組輸出存儲值，從所述一組模擬存儲單元中的各個存儲單元中，讀取多組輸出存儲值。確定由相應各組輸出存儲值滿足的方程的數目。響應滿足的方程的相應數目，識別讀取參數的優選設定。利用讀取參數的優選設定，對存儲器進行操作。

發明內容