1.由微機械的半導體材料制造具有孔洞（22-25、42-45、55-58、71-74）的微針陣列（11、30、40、50、60）的方法，由以下方法步驟開始：

a）由微機械的半導體材料制造具有平坦側面（27、69）和針側面（26、68）的微針陣列（11、30、40、50、60）；

其特征在于用于微針陣列的多個微針（13-16、51-54、64-67）的以下方法步驟：

b）相對于微針陣列的微針（13-16、51-54、64-67）定位激光器（18-21）；

c）借助于激光打孔在微針陣列中打孔形成孔洞（22-25、42-45、55-58、71-74）。

2.按權利要求1所述的方法，其特征在于，所述微針陣列（11、30、40、50、60）具有晶體硅。

3.按權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述微針陣列（11、30、40、50、60）具有多孔的微機械的半導體材料，尤其多孔硅。

4.按權利要求1到3中任一項所述的方法，其特征在于，相對于微針（51-54）定位激光器（18-21），從而在微針（51-54）中打孔形成孔洞（55-58）。

5.按權利要求1到3中任一項所述的方法，其特征在于，相對于微針定位激光器（18-21），從而在微針的側面中打孔形成孔洞。

6.按權利要求1到3中任一項所述的方法，其特征在于，相對于微針（13-16）定位激光器（18-21），從而在微針旁邊打孔形成孔洞（22-25、42-45）。

7.按權利要求1到6中任一項所述的方法，其特征在于，相對于微針定位激光器（18-21），從而從微針陣列（11）的針側面（26）起打孔形成孔洞（22-25）。

8.按權利要求1到6中任一項所述的方法，其特征在于，相對于微針定位激光器（18-21），從而從微針陣列（40、50、60）的平坦側面（27、69）打孔形成孔洞（42-45、55-58、71-74）。

9.按權利要求1到8中任一項所述的方法，其特征在于，所述孔洞（71-74）構造成盲孔。

10.按權利要求1到9中任一項所述的方法，其特征在于，所述激光器是Nd:YAG激光器。

11.按權利要求1到10中任一項所述的方法，其特征在于，在同一針（51-54）中打多個孔洞（55-58）或者使一個孔洞配屬于多個針。

12.具有由微機械的半導體材料制成的基底（61；81）的微針陣列（60、80），其中微針（64、65、66、67；84、85、86、87）從基底（61；81）伸出，其中所述微針陣列（60、80）具有平面的背面（69、89）以及對置于所述背面、帶有微針（64、65、66、67；84、85、86、87）的針側面（68、88），其中所述基底（61；81）具有孔洞（71、72、73、74；91、92、93、94），其特征在于，所述微針陣列（60、80）具有由微機械的半導體材料制成的微針（64、65、66、67；84、85、86、87）。

13.按權利要求12所述的微針陣列（11、30、40、50、60），其特征在于，所述基底（61；81）具有鄰接微針（64、65、66、67；84、85、86、87）的多孔的基底層（63、83）。

14.按權利要求13所述的微針陣列（11、30、40、50、60），其特征在于，所述孔洞（71、72、73、74；91、92、93、94）從背面開始并且構造成盲孔（71、72、73、74；91、92、93、94），所述盲孔在多孔的基底層（63、83）中結束。

15.按權利要求14所述的微針陣列（11、30、40、50、60），其特征在于，所述盲孔（71、72、73、74；91、92、93、94）布置在微針（64、65、66、67；84、85、86、87）的下面或旁邊。