[發明專利]感光晶體管、其制造方法以及使用感光晶體管的顯示面板有效
| 申請號: | 201210557016.3 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103311358A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 田尚勛;宋利憲;安承彥 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/113 | 分類號: | H01L31/113;H01L31/0352;H01L31/18;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光 晶體管 制造 方法 以及 使用 顯示 面板 | ||
技術領域
示例實施方式涉及感光晶體管、其制造方法以及使用感光晶體管的顯示面板。
背景技術
薄膜晶體管廣泛用于各種領域,具體地,用作顯示器領域中的開關器件和驅動器件。近來,已經提出了使用薄膜晶體管作為感光元件,用于光學觸摸屏。觸摸屏裝置是用于在屏幕上直接輸入數據的裝置。換句話說,當用戶的手指或觸針(例如,筆)觸摸觸摸屏裝置的顯示屏上的特定位置時,利用軟件執行一系列進程。
當前,廣泛使用的觸摸屏裝置采用通過使用手指或筆來直接觸摸顯示裝置的屏幕的方法。然而,隨著顯示裝置的尺寸增大,用戶與顯示裝置之間的距離增大,因此可能難以使用直接觸摸法。光學觸摸屏裝置是通過感測光而不是通過手指或筆的接觸來執行與常規觸摸屏相同的功能的裝置。光學觸摸屏裝置被期望不僅用于用戶與終端之間的通信而且用于用戶之間的通信。
當感光晶體管用于光學觸摸屏裝置且液晶面板用作顯示面板時,輸入的光穿過偏光膜并且入射到感光晶體管。當光穿過偏光膜時發生光損失。此外,光損失的程度根據入射角而改變。光電流關于特定的入射角而減少大約10%,使得感光晶體管可能不對入射光作出反應。因此,存在研究解決方案以提高感光效率的要求。
發明內容
示例實施方式涉及感光晶體管、其制造方法和使用感光晶體管的顯示面板。
提供了用于具有以下結構的感光晶體管的方法和裝置:感光晶體管的溝道層可以被有效地暴露于光,還提供了制造該感光晶體管的方法以及使用該感光晶體管的光學觸摸顯示面板。
另外的方面將通過后面的描述而部分地闡述,并通過該描述而部分地顯見,或者可以通過實踐當前實施方式而習之。
根據示例實施方式,一種感光晶體管包括∶柵極層;柵絕緣層,在柵極層上;溝道層,在柵絕緣層上;蝕刻停止層,在溝道層的部分區域上;源極和漏極,在溝道層上并彼此分離開,其中蝕刻停止層插置在源極和漏極之間;以及鈍化層,覆蓋源極、漏極和蝕刻停止層,其中源極與蝕刻停止層分離開。
溝道層的相應于源極與蝕刻停止層之間的空間的區域可以具有比溝道層的任何其他區域高的電導率。
源極和漏極可以由透明電極材料形成。
源極和漏極可以由金屬材料形成。
漏極可以與蝕刻停止層分離開。
溝道層的相應于源極與蝕刻停止層之間的空間的區域以及溝道層的相應于漏極與蝕刻停止層之間的空間的區域可以具有比溝道層的任何其他區域高的電導率。
源極和漏極可以由透明電極材料形成。
源極和漏極可以由金屬材料形成。
溝道層可以由包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、鋁(Al)及其組合中選擇出的至少一個的氧化物形成。
溝道層可以由半導體材料形成。
根據示范實施方式,一種光學觸摸顯示面板包括∶顯示單元,配置為根據圖像信息而在開啟狀態和關閉狀態之間被控制;以及如上所述的感光晶體管,其中感光晶體管配置為感測入射光。
漏極可以與蝕刻停止層分離開。
源極和漏極可以由透明電極材料形成。
源極和漏極可以由金屬材料形成。
顯示單元可以包括液晶材料。
根據示例實施方式,一種制造感光晶體管的方法,該方法包括∶在柵極層上順序形成柵絕緣層和由半導體材料形成的溝道層;在溝道層的部分區域上形成蝕刻停止層;形成導電材料層以完全覆蓋溝道層和蝕刻停止層;蝕刻導電材料層的部分區域以暴露蝕刻停止層,其中導電材料層被分離成源極和漏極,源極與蝕刻停止層分離開形成;以及形成鈍化層以覆蓋源極、漏極和蝕刻停止層。
導電材料層可以由透明電極材料形成。
導電材料層可以由金屬材料形成。
漏極可以與蝕刻停止層分離開。
溝道層可以由包括從銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、鋁(Al)及其組合中選擇出的至少一個的氧化物形成。溝道層可以由半導體材料形成。
附圖說明
通過下文結合附圖對示例實施方式的描述,上述和/或其他方面將變得明顯且更易于理解,附圖中:
圖1是示意性示出根據示例實施方式的感光晶體管的結構的截面圖;
圖2A和圖2B分別是根據比較例的感光晶體管的結構的截面圖以及根據光束位置的光電流的曲線圖;
圖3是示意性示出根據示例實施方式的感光晶體管的結構的截面圖;
圖4是示意性示出根據示例實施方式的感光晶體管的結構的截面圖;
圖5是示意性示出根據示例實施方式的感光晶體管的結構的截面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





