1.一種用于半導體器件的金屬結構的錨固結構，該錨固結構包括：

錨固凹陷結構，包括至少一個懸伸側壁，其中金屬結構至少部分地設置在錨固凹陷結構內。

2.依照權利要求1的錨固結構，其中懸伸側壁由半導體器件的半導體襯底形成。

3.依照權利要求2的錨固結構，其中半導體襯底包括單晶半導體，其中形成錨固凹陷結構，使得懸伸側壁由半導體形成。

4.依照權利要求3的錨固結構，其中錨固凹陷結構部分地填充有多晶硅。

5.依照權利要求1的錨固結構，其中懸伸側壁具有與垂直于半導體器件的主表面的法線方向有關的至少-3°的角度。

6.依照權利要求2的錨固結構，其中金屬結構包括沉積的保形金屬，使得金屬結構由錨固凹陷結構錨固并且鄰接懸伸側壁。

7.依照權利要求2的錨固結構，其中金屬結構被設置成使得金屬結構通過底切緊配合而適配于半導體襯底。

8.一種用于包括單元場且在襯底上形成的器件的嚙合結構，該嚙合結構包括：

中間絕緣層，被結構化成使得中間絕緣層被至少一個接觸孔中斷；

中間絕緣層上的金屬結構，用于連接單元場；以及

支撐結構，包括多晶硅且嵌入到襯底中形成的凹陷內并且與接觸孔對準，其中支撐結構不是單元場的部分，

其中金屬結構通過接觸孔向上延伸到金屬結構粘附連接至的支撐結構。

9.依照權利要求8的嚙合結構，其中中間絕緣層被結構化成使得中間絕緣層被多個接觸孔中斷，

并且其中不是單元場的部分的多個支撐結構嵌入到襯底中形成的多個凹陷內并且與對應接觸孔對準，并且

其中金屬結構通過所述多個接觸孔向上延伸到金屬結構粘附連接至的所述多個支撐結構。

10.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷由支撐結構嵌入至的溝槽形成，其中溝槽與接觸孔對準。

11.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷由絕緣層涂敷，以便將支撐結構與襯底絕緣。

12.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷設置在器件的外圍區域內，其中外圍區域包圍單元場。

13.依照權利要求12的嚙合結構，其中外圍區域包括柵極流道結構和/或接觸區。

14.依照權利要求12的嚙合結構，其中外圍區域通過溝道阻擋而與單元場分離。

15.依照權利要求14的嚙合結構，其中溝道阻擋由溝槽形成，該溝槽從襯底的主表面至少部分地延伸到襯底中，其中至少一個電極設置在溝道阻擋溝槽中。

16.依照權利要求8的嚙合結構，其中金屬結構包括鈦和氮和/或鈦-鈦-氮-鎢-鋁-銅。

17.依照權利要求11的嚙合結構，其中單元場由至少一個垂直晶體管結構或者至少一個橫向晶體管結構組成，并且

其中支撐結構僅僅經由金屬結構連接到所述至少一個垂直晶體管結構或者所述至少一個橫向晶體管。

18.依照權利要求8的嚙合結構，其中支撐結構不是晶體管的部分。

19.依照權利要求8的嚙合結構，其中中間絕緣層包括氧化物。

20.一種嚙合結構，包括：

襯底，包括主表面和鄰接襯底的主表面的單晶半導體；

凹陷，在襯底的主表面內形成于單晶半導體中；

絕緣層，在襯底的主表面上形成；以及

導體層結構，包括

金屬層，該金屬層在絕緣層上形成并且通過絕緣層的孔延伸到凹陷中，以及

在凹陷的底部的多晶硅，其中該多晶硅鄰接金屬層。

21.一種半導體器件，包括：

襯底；

在襯底中形成的有源區域；

在襯底的表面上形成的絕緣層；以及

在絕緣層上形成且接觸有源區域的金屬層，其中凹陷在襯底中形成并且填充有多晶硅，并且

其中金屬層通過絕緣層中的孔延伸并且粘附到多晶硅。