[發明專利]均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果的測試方法無效
| 申請號: | 201210480436.6 | 申請日: | 2012-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103808871A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 余婧 | 申請(專利權)人: | 余婧 |
| 主分類號: | G01N33/00 | 分類號: | G01N33/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 均聚物防垢劑 效果 測試 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果的測試方法。
背景技術
均聚反應顧名思義就是指只用一種單體進行聚合。反應所得到的高分子鏈中只有一種單體單元,這種聚合物稱為均聚物。按聚合反應歷程可分為均縮聚(如ε-氨基乙酸[H2N(CH2)5COOH]的縮聚反應)和均加聚[如苯乙烯(CH2=CHC6H5)的自由基聚合]。
當液體內各部分之間有相對運動時,接觸面之間存在內摩擦力,阻礙液體的相對運動,這種性質稱為液體的粘滯性,液體的內摩擦力稱為粘滯力。粘滯力的大小與接觸面面積以及接觸面處的速度梯度成正比,比例系數η稱為粘度(或粘滯系數)。均聚產物是由結構相同、組成相同但相對分子質量不同的同系高分子組成的混合物,高分子聚合產物具有多分散性。聚合產物的相對分子質量及其分布影響其性能,因此,估算或者測定聚合產物的相對分子質量及其分布可以獲得確定聚合產物結構與性能關系的重要數據。測定高聚摩爾質量的方法很多,而不同方法所得平均摩爾質量也有所不同。
單體能否聚合,須從熱力學和動力學兩方面來考慮。單體和聚合物自由焓差為負值時,才有聚合的可能。熱力學上能聚合的單體,還要求有適當的引發劑、溫度等動力學條件,才能保證一定的聚合速度。聚合反應按反應機理可以分為逐步聚合反應和連鎖聚合反應。對烯類單體的連鎖聚合反應,根據活性中心化學性質不同,連鎖聚合反應可以分為自由基聚合、離子型聚合和配位聚合,其中自由基聚合是連鎖聚合反應的重要類型。自由基聚合反應中,單體的聚合速度及聚合物結構、分子量、分子量分布等都取決于這些基元反應的速度和機理。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的缺點和不足,提供一種均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果的測試方法,該測試方法能成功測試出均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果,且測試結果準確,測試步驟簡單,測試成本低,為均聚物防垢劑應用于除鈣垢提供了理論基礎。
本發明的目的通過下述技術方案實現:一種均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果的測試方法,包括步驟:(a)首先,制備均聚物防垢劑溶液和鈣垢樣品備用;(b)選取若干個實驗容器,清洗干燥備用;(c)然后,分別向實驗容器中加入等量的鈣垢樣品,并加入溶解成不同濃度的鈣離子溶液;(d)分別向實驗容器中加入等量的均聚物防垢劑溶液;(e)將實驗容器分別置于水浴中加熱:(f)通過實驗結果,分別計算出均聚物防垢劑的除垢率,通過計算結果,分析出均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果。
所述反應容器為燒杯。
所述垢樣品為硫酸鋇垢或硫酸鍶垢。
所述步驟(c)中,鈣離子溶液的濃度分別為15mg/l、20mg/l、25mg/l、30mg/l、35mg/l、40mg/l。
綜上所述,本發明的有益效果是:能成功測試出均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果,且測試結果準確,測試步驟簡單,測試成本低,為均聚物防垢劑應用于除鈣垢提供了理論基礎。
附圖說明
圖1為均聚物防垢劑的防垢率與濃度的關系示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例,對本發明作進一步的詳細說明,但本發明的實施方式不僅限于此。
實施例:
本發明涉及的一種均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果的測試方法,包括步驟:(a)首先,制備均聚物防垢劑溶液和鈣垢樣品備用;(b)選取若干個實驗容器,清洗干燥備用;(c)然后,分別向實驗容器中加入等量的鈣垢樣品,并加入溶解成不同濃度的鈣離子溶液;(d)分別向實驗容器中加入等量的均聚物防垢劑溶液;(e)將實驗容器分別置于水浴中加熱:(f)通過實驗結果,分別計算出均聚物防垢劑的除垢率,通過計算結果,分析出均聚物防垢劑對鈣垢的防垢效果。
所述反應容器為燒杯。
所述垢樣品為硫酸鋇垢或硫酸鍶垢。
所述步驟(c)中,鈣離子溶液的濃度分別為15mg/l、20mg/l、25mg/l、30mg/l、35mg/l、40mg/l。
不同Ca2+濃度含量水中,pH=7.0,恒定溫度(50±1℃)24h,加入均聚物防垢劑,考察不同Ca2+濃度下均聚物防垢劑的防垢率與加藥濃度的關系,其結果見圖1,由圖1可知,在同一Ca2+濃度下,隨著防垢劑加量的增加,其防垢率增大,當增大到一定量時,防垢率基本不變或則減小。在同一防垢劑加量不同Ca2+濃度的情況下,其防垢效果隨Ca2+濃度的增大而變差。
以上所述,僅是本發明的較佳實施例,并非對本發明做任何形式上的限制,凡是依據本發明的技術實質,對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化,均落入本發明的保護范圍之內。
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