1.溫差式流量傳感器，包括一基體和覆蓋于基體上可檢測(cè)流體流量的橫膈膜，其特征在于，所述基體的下方鍵合有一襯底，所述襯底與所述基體之間形成一個(gè)可引導(dǎo)流體流經(jīng)所述橫膈膜下方的微流道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述基體的底面凹設(shè)有一凹槽，所述襯底上表面與該凹槽配設(shè)有一凸臺(tái)，所述凹槽與所述凸臺(tái)之間形成一道可先引導(dǎo)測(cè)溫流體向上流經(jīng)所述橫膈膜的下方再向下流出的軌跡呈梯形的微流道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述微流道的橫截面積設(shè)置為沿流向方向上分階段縮小的結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述微流道拐角處設(shè)置為125.26°；在所述微流道的橫截面上，側(cè)壁與底壁呈125.26°夾角。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述橫膈膜包括于基體上表面的支撐層、濺射于所述支撐層上的金屬薄膜以及覆蓋于所述金屬薄膜的鈍化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述支撐層由SiO₂和Si₃N₄材料制作而成，所述鈍化層由Si₃N₄材料制作而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述金屬薄膜層由Ti和Pt金屬制作而成，包括由其中間向兩邊縱向間隔對(duì)稱分布的加熱電阻和測(cè)溫電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述測(cè)溫電阻的寬度為5~10μm，在流體流動(dòng)方向上，所述測(cè)溫電阻與所述基體底面上的凹槽底面的邊緣的距離大于150μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫差式流量傳感器，其特征在于：所述基體和襯底均由硅制作成片狀，通過(guò)Au-Si鍵鍵合為一體。

10.制作權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的溫差式流量傳感器的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1）選取硅片作為基體，于基體上表面沉積一層SiO₂；

2）在SiO₂層的上表面，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法沉積一層Si₃N₄；

3）在Si₃N₄層上，通過(guò)光刻和濺射，覆蓋Ti和Pt金屬以形成包括由

中間向兩邊縱向間隔對(duì)稱分布的加熱電阻和測(cè)溫電阻的金屬薄膜層，其中所述測(cè)溫電阻的寬度在5~10μm；

4）在金屬薄膜層上，通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積法，再沉積至少一層可將其覆蓋的Si₃N₄層；至此，完成橫隔膜的制作并覆蓋于所述基體的上表面；

5）在硅片基體的下表面上，采用KOH溶液通過(guò)熱腐蝕法，開(kāi)設(shè)一個(gè)凹槽，露出硅片基體上表面的SiO₂層底部；同時(shí)，確保沿流體流動(dòng)方向上，所述測(cè)溫電阻與所述凹槽底部邊緣的間距大于150μm；

6）另外取一塊硅片作為襯底，采用KOH溶液通過(guò)熱腐蝕法，在其上表面的兩側(cè)分別溶解處一個(gè)半凹槽，使兩半凹槽之間形成一個(gè)凸起；

7）將硅片襯底的凸起正對(duì)所述硅片基體的凹槽，通過(guò)Au-Si鍵鍵合為一體，并在硅片襯底和所述硅片基體之間形成一個(gè)可使流體先向上流動(dòng)后向下流出的微流道。