[發(fā)明專利]一種階段性電鍍工藝電鍍銅方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210444570.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103806030A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林永峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無錫新三洲特鋼有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C25D3/38 | 分類號(hào)： | C25D3/38;C25D5/18;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 楊小雙 |
| 地址： | 214100 江蘇省無錫市惠*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 階段性 電鍍 工藝 鍍銅 方法 | ||
1.一種階段性電鍍工藝電鍍銅方法，其特征在于，該方法采用階段性電鍍工藝和與該工藝相適應(yīng)的電鍍液進(jìn)行處理，在不同的電流密度、硅片旋轉(zhuǎn)速度、電鍍液流速以及硅片工藝位置條件下分階段進(jìn)行電鍍工藝處理；
所述電鍍液，包括：硫酸銅為50～200克/升，硫酸為50～220克/升，氯離子為10～150毫克/升，抑制劑為5～200毫克/升，加速劑為5～50毫克/升，整平劑為0.5～20毫克/升，其余為去離子水；
所述階段性電鍍工藝處理中的每個(gè)處理階段的工藝條件為：硅片工藝位置：2～10毫米，電流密度：0.2～8安培/平方分米，硅片旋轉(zhuǎn)速度：5～50轉(zhuǎn)/分鐘，電鍍液流速：4～20升/分鐘，時(shí)間：3～500秒。
2.如權(quán)利要求1所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述階段性電鍍工藝處理分包括兩個(gè)處理階段，分別為初始階段以及最終階段。
3.如權(quán)利要求2所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述初始階段的硅片位置高于所述最終階段的硅片位置，所述初始階段的硅片旋轉(zhuǎn)速度低于所述最終階段的硅片旋轉(zhuǎn)速度，所述初始階段的電鍍液流速低于所述最終階段的電鍍液流速，所述初始階段的電流密度低于所述最終階段的電流密度。
4.如權(quán)利要求3所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述初始階段的工藝條件具體為：
時(shí)間：10～50秒，電流密度：0.8～3安培/平方分米，硅片旋轉(zhuǎn)速度：5～30轉(zhuǎn)/分鐘，電鍍液流速：4～10升/分鐘，硅片工藝位置：5～10毫米。
5.如權(quán)利要求3所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述最終階段的工藝條件具體為：
時(shí)間：30～500秒，電流密度：3～8安培/平方分米，硅片旋轉(zhuǎn)速度：30～50轉(zhuǎn)/分鐘，電鍍液流速：10～20升/分鐘，硅片工藝位置：2～5毫米。
6.如權(quán)利要求3所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述階段性電鍍工藝處理還包括一過渡階段，所述過渡階段位于所述初始階段與所述最終階段之間，所述過渡階段的電流密度低于所述初始階段的電流密度，所述過渡階段的硅片位置、硅片旋轉(zhuǎn)速度以及電鍍液流速與所述最終階段的硅片位置、硅片旋轉(zhuǎn)速度以及電鍍液流速相同。
7.如權(quán)利要求6所述的電鍍銅方法，其特征在于，所述過渡階段的工藝條件具體為：
時(shí)間：3～10秒，電流密度：0.2～0.8安培/平方分米，硅片旋轉(zhuǎn)速度：30～50轉(zhuǎn)/分鐘，電鍍液流速：10～20升/分鐘，硅片工藝位置：2～5毫米。
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