[發明專利]用于晶圓級相機的晶圓間隔件及其制造方法有效
| 申請號: | 201210430686.9 | 申請日: | 2012-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN103105730A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 喬治·巴恩斯;戈蘭·勞克 | 申請(專利權)人: | 全視技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;G03B17/12 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 晶圓級 相機 間隔 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造用于晶圓級相機的晶圓間隔件的方法,包括:
在基板上形成光刻膠層;
通過掩模使所述光刻膠層在輻射下曝光,所述掩模限定至少一個晶圓級相機元件的間隔件幾何形狀;以及
顯影所述光刻膠層,以使所述光刻膠層是用于所述晶圓級相機的所述晶圓間隔件。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在所述基板上形成所述光刻膠層之前,在所述基板上形成犧牲層;以及
在顯影所述光刻膠層之后,移除所述犧牲層,以使所述光刻膠層是獨立的間隔件。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述犧牲層包括聚苯乙烯。
4.根據權利要求2所述的方法,其中,所述犧牲層包括蠟。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述光刻膠層為負型光刻膠層。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述光刻膠層為環氧樹脂基光刻膠層。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,所述光刻膠層為SU-8光刻膠層。
8.根據權利要求1所述的方法,其中,所述晶圓間隔件的厚度小于300μm。
9.根據權利要求1所述的方法,還包括:將所述光刻膠層加工成期望的厚度。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,所述光刻膠層被加工成小于300μm的厚度。
11.根據權利要求1所述的方法,還包括:將所述光刻膠層加工成多個厚度。
12.根據權利要求1所述的方法,還包括:在曝光所述光刻膠層之前,將掩模相對于所述光刻膠層對準。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,所述掩模限定將在所述光刻膠層中形成的至少一個孔。
14.根據權利要求13所述的方法,其中,將在所述光刻膠層中形成的所述孔是錐形的。
15.根據權利要求1所述的方法,還包括:在形成所述光刻膠層之前,在所述基板中形成至少一個元件。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述至少一個元件包括透鏡或基準標記之一。
17.根據權利要求1所述的方法,其中,所述基板由玻璃形成。
18.根據權利要求1所述的方法,還包括:在所述基板上形成所述光刻膠層之前,在所述基板上形成助黏劑層。
19.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述光刻膠層形成在所述基板的第一表面上;以及
所述方法還包括:
在所述基板的第二表面上形成第二光刻膠層,以使第一晶圓間隔件
和第二晶圓間隔件分別形成在所述基板的所述第一表面和所述第
二表面。
20.一種晶圓級相機,包括:
元件層,在所述元件層上形成至少一個元件;以及
晶圓間隔件,所述晶圓間隔件位于所述元件層,所述晶圓間隔件由光刻膠層形成并且限定所述至少一個元件的幾何形狀。
21.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述光刻膠層為負型光刻膠層。
22.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述光刻膠層為環氧樹脂基光刻膠層。
23.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述光刻膠層為SU-8光刻膠層。
24.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述晶圓間隔件的厚度小于300μm。
25.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述晶圓間隔件具有多個厚度。
26.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述至少一個元件包括透鏡。
27.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述元件層由玻璃形成。
28.根據權利要求20所述的晶圓級相機,其中,所述晶圓間隔件包括至少一個孔。
29.根據權利要求28所述的晶圓級相機,其中,所述孔是錐形的。
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