本發明公開了一種反熔絲電路，所述反熔絲電路包括：反熔絲單元，所述反熔絲單元包括能夠響應于斷裂信號而被編程的反熔絲，并被配置成產生與反熔絲的狀態相對應的熔絲信號；虛設熔絲單元，所述虛設熔絲單元包括虛設熔絲，并被配置成產生與虛設熔絲的狀態相對應的虛設熔絲信號；以及阻擋單元，所述阻擋單元被配置成響應于虛設熔絲信號的狀態，而將熔絲信號輸出作為熔絲輸出信號。

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年4月5日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2012-0035391的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明總體而言涉及一種半導體集成電路，更具體而言，涉及一種熔絲電路。

背景技術

當在半導體存儲裝置的制造工藝期間，在半導體存儲裝置的多個單位單元之中檢測到任何一個失效的單位單元時，半導體存儲裝置不會起維持記憶的作用，且因而作為有缺陷的產品而被丟棄。然而，即使缺陷僅發生在半導體存儲裝置的某些單位單元中而丟棄整個半導體存儲裝置，并標示其為有缺陷的產品是低效的。因此，半導體存儲裝置可以通過用其中準備的冗余單元替換失效的單位單元來恢復，這樣可以改善半導體存儲裝置的成品率。

在晶片級和封裝級可以利用冗余單元執行修復操作。在晶片級，利用熔絲來執行修復操作。例如，利用熔絲的修復操作可以包括借助于通過過電流來切斷在與具有失效單元的行或列連接的線中存在的熔絲的方法、利用激光束來燒毀熔絲的方法、利用激光束來連接結的方法、以及經由EPROM對熔絲編程的方法，以便用冗余單元來替換失效單元。

另一方面，在封裝級，不能利用熔絲執行修復操作。因此，可以采用反熔絲來執行修復操作。反熔絲是具有與熔絲相反的電學特性的阻性熔絲元件。一般地，反熔絲可以由薄的電介質材料形成，例如將諸如SiO₂、氮化硅、氧化鉭、或ONO（二氧化硅-氮化硅-二氧化硅）的電介質插在兩個導體之間的復合體。反熔絲在正常狀態下是電斷路的。然而，當施加高電壓以破壞導體之間的電介質時，反熔絲短路。即，當要在封裝級替換失效單元時，則執行將高電壓施加到反熔絲電路的編程操作。在編程操作之后，反熔絲短路以用冗余單元來替換失效單元。

圖1是設置在半導體裝置中的現有的反熔絲電路。

為了對存儲器單元執行修復操作，將激活的斷裂信號RUP施加到反熔絲電路，以對與存儲器單元相對應的反熔絲編程。反熔絲在正常狀態下是電斷路的。然而，當施加高電壓（即VHIGH）以破壞反熔絲的電介質時，則反熔絲短路。圖1說明如下的柵氧化物反熔絲：當經由柵氧化物反熔絲的柵極端子接收高電壓時，柵氧化物反熔絲丟失NMOS晶體管的特性并具有導體的特性。然而，此外可以利用不同類型的反熔絲。

現有的反熔絲電路包括熔絲單元10、復位單元40以及輸出單元50。

熔絲單元10可以包括反相器IV1、PMOS晶體管P1、傳輸門PG1、反熔絲AF1，復位單元40可以包括PMOS晶體管P2，且輸出單元50可以包括反相器IV2。

復位單元40被配置成在初始加電期間，接收加電信號PWR，并將輸出節點ND復位到外部電壓電平VDD。因此，在執行編程操作之前，經由輸出單元50來產生去激活的熔絲信號FUSE。

另一方面，當施加斷裂信號RUP時，熔絲單元10的反熔絲AF1被編程，并且傳輸門PG1被使能，以將輸出節點ND的電壓電平降低到接地電壓電平VSS。因此，在編程操作之后，經由輸出單元50來產生激活的熔絲信號FUSE。

即，現有的反熔絲電路通過對反熔絲編程來產生激活的熔絲信號，由此用冗余單元來替換相應的存儲器單元。

然而，在現有的反熔絲電路中，反熔絲靈敏地反應于外部環境。因此，盡管未執行編程操作，也可能會破壞反熔絲。此外，由于在封裝級執行編程操作，反熔絲電阻在編程操作之后可能會偏離感測范圍。在這種情況下，可能會產生錯誤的熔絲信號而引起整個半導體裝置的故障。