技術領域

本發明涉及蝕刻方法及蝕刻裝置，特別涉及在制造印刷布線板的工序中、將基板上的被加工導電層進行圖案蝕刻（pattern?etching）而圖案形成布線部的蝕刻方法及蝕刻裝置。

背景技術

作為在安裝有半導體等部件的印刷布線板（基板）的表面形成微細的圖案的布線部的蝕刻方法，廣泛地使用從一流體噴嘴向基板上噴射蝕刻液的方法。在銅箔上預先圖案形成作為掩模層的抗蝕劑膜，使蝕刻液與沒有被抗蝕劑膜保護的銅箔接觸，從而將銅箔進行圖案加工。

但是，在使用一流體噴嘴的方法中，蝕刻液滴的粒徑大，例如在鄰接的布線部間的間隔為50μm以下的微細化的布線圖案的加工中，蝕刻液滴不能將被蝕刻層上的抗蝕劑膜的圖案內蝕刻，難以使E/F（蝕刻系數etch?factor）提高。

作為消除這樣的不良狀況的方法，提出了使用將蝕刻液與壓縮空氣混合噴射的二流體噴嘴的方法。通過使用二流體噴嘴，與一流體噴嘴相比，能夠實現蝕刻液的微小液滴化，噴射速度也變大。例如在微細化為50μm以下的圖案的蝕刻中，也能夠將蝕刻液的微小液滴以高速向圖案內壓入而使E/F提高。

專利文獻1：日本特開2002－256458號公報

專利文獻1：日本特開2010－287881號公報

但是，在使用二流體噴嘴的方法中，由于消耗大量的壓縮空氣，所以導致設備的大型化及成本的上升。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種在將壓縮空氣的消耗量抑制為最小限度的同時、能夠得到適當的E/F的蝕刻方法及蝕刻裝置。

為了達到上述目的，本發明的第1技術方案的蝕刻方法，具備以下工序：第1蝕刻工序，將蝕刻液從一流體噴嘴噴射而將蝕刻液噴附于蝕刻對象物的蝕刻對象面，從而將蝕刻對象面蝕刻；以及第2蝕刻工序，將蝕刻液與氣體混合后從二流體噴嘴噴射而將蝕刻液噴附于在上述第1蝕刻工序中被蝕刻后的蝕刻對象面，從而將蝕刻對象面進一步蝕刻；在第2蝕刻工序中，將與第1蝕刻工序相比液滴微小的蝕刻液以比第1蝕刻工序強的沖擊力噴附于蝕刻對象面。

本發明的第1技術方案的蝕刻裝置具備輸送機構、一流體噴嘴和二流體噴嘴。輸送機構沿著依次通過第1蝕刻處理部和第2蝕刻處理部的規定的輸送路徑輸送蝕刻對象物；一流體噴嘴配置于第1蝕刻處理部，將蝕刻液噴射并使其噴附于由輸送機構輸送的蝕刻對象物的蝕刻對象面；二流體噴嘴配置于第2蝕刻處理部，將蝕刻液與氣體混合噴射并使其噴附于由輸送機構從第1蝕刻處理部輸送的蝕刻對象物的蝕刻對象面；二流體噴嘴將與一流體噴嘴相比液滴微小的蝕刻液以比一流體噴嘴強的沖擊力噴附于蝕刻對象面。

在上述方法及裝置中，在被蝕刻層的表面側，首先進行來自一流體噴嘴的基于較大液滴的蝕刻液的粗略的蝕刻處理。接著，進行來自二流體噴嘴的基于微小液滴的蝕刻液的細致的蝕刻處理，即使是微細化的布線圖案的加工，也能夠將蝕刻液滴壓入到被蝕刻層上的抗蝕劑膜的圖案內。這樣，由于不是對全部的蝕刻處理使用二流體噴嘴而是有效地并用一流體噴嘴和二流體噴嘴，所以能夠在將壓縮空氣的消耗量抑制為最小限度的同時得到適當的E/F。另外，所謂E/F，是蝕刻深度（被蝕刻層的厚度）相對于被蝕刻層的橫向的蝕刻量（底切量）的比率，數值越大越優選。

本發明的第2技術方案的蝕刻方法，在上述第1技術方案的蝕刻方法中，蝕刻對象面是蝕刻對象物的上表面；第1蝕刻工序包括將從一流體噴嘴噴附于蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去的第1吸引工序；第2蝕刻工序包括將從二流體噴嘴噴附于蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去的第2吸引工序。

本發明的第2技術方案的蝕刻裝置，在上述第1技術方案的蝕刻裝置中，具備對第1蝕刻處理部和第2蝕刻處理部雙方所配置的吸引機構；輸送機構以蝕刻對象面朝向上方的狀態將蝕刻對象物沿大致水平方向輸送；吸引機構將從一流體噴嘴和二流體噴嘴分別噴附于蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去。

在上述方法及裝置中，將從一流體噴嘴及二流體噴嘴噴附的蝕刻液從蝕刻對象面早期地除去。因此，能夠將能對蝕刻液噴附成為障礙的蝕刻液滯留的發生防范于未然，能夠進行面內均勻性高的蝕刻。

此外，在上述第2技術方案的蝕刻方法及蝕刻裝置中，優選的是，從二流體噴嘴向蝕刻對象面的蝕刻液的噴附量相對于從一流體噴嘴及二流體噴嘴向蝕刻對象面的蝕刻液的總噴附量的比例是2%以上50%以下。

發明效果

根據本發明，能夠在將壓縮空氣的消耗量抑制為最小限度的同時得到適當的E/F。

附圖說明

圖1是示意地表示本發明的一實施方式的蝕刻裝置的概略結構圖。