1.一種硒化霍山石斛培養物的生產方法，其特征在于：包括利用固體高鹽培養基誘導獲取霍山石斛無菌實生苗，黑暗協同低鹽培養基選育獲取耐硒霍山石斛愈傷組織，藍光輔助低鹽培養基馴化硒化霍山石斛愈傷組織，日光燈光照生產硒化霍山石斛培養物；干燥的硒化霍山石斛培養物中有機硒質量分數不低于50μg/g。

2.一種硒化霍山石斛培養物的生產方法，其特征在于所述硒化霍山石斛培養物的具體生產操作步驟如下：

（1）霍山石斛無菌實生苗的誘導：取成熟的霍山石斛果實，先用體積分數為70～75?mL/100mL的酒精水溶液漂洗3～5分鐘，再用質量分數為2g/100mL的次氯酸鈉水溶液浸泡20～30分鐘，然后用無菌水沖洗3～5次，最后去除果皮，取出種子，將種子均勻撒在固體高鹽培養基上，在溫度20±2℃、光照強度2000±200勒克斯、每天光照12小時的條件下培養5～6個月，收集4～5cm高的無菌苗，即為霍山石斛無菌實生苗；所述固體高鹽培養基由下列重量或體積的原料組成：蔗糖30000?mg、硝酸鉀950?mg、硝酸銨825?mg、氯化鈣220?mg、硫酸鎂185?mg、磷酸二氫鉀85?mg、硫酸錳8.45?mg、硫酸鋅4.3?mg、硼酸3.1?mg、碘化鉀0.415?mg、鉬酸鈉0.125?mg、硫酸銅0.0125?mg、氯化鈷0.0125?mg、乙二胺四乙酸二鈉18.625?mg、硫酸亞鐵13.925?mg、肌醇50?mg、甘氨酸1?mg、鹽酸吡哆醇0.25?mg、煙酸0.25?mg、鹽酸硫胺素0.05?mg、瓊脂5000～6000?mg、水1?L，pH值5.8；

（2）耐硒霍山石斛愈傷組織的選育：取長0.5～1.0厘米的霍山石斛無菌實生苗的帶節莖段，插入第一固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、黑暗環境中培養30～35天，得到耐硒霍山石斛愈傷組織；

（3）硒化霍山石斛愈傷組織的馴化：取耐硒霍山石斛愈傷組織，轉入第二固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、60μmol/m²/s光量的藍光光照條件下培養35～45天，收集生長旺盛的翠綠色的第一愈傷組織；將第一愈傷組織轉入第三固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、60μmol/m²/s光量的藍光每天光照12小時的條件下培養35～45天，收集生長旺盛的翠綠色的第二愈傷組織；將第二愈傷組織轉入第四固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、60μmol/m²/s光量的藍光每天光照12小時的條件下培養35～45天，收集生長旺盛的翠綠色的第三愈傷組織；將第三愈傷組織轉入第五固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、60μmol/m²/s光量的藍光每天光照12小時的條件下培養35～45天，收集生長旺盛的翠綠色的第四愈傷組織；將第四愈傷組織轉入第六固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、光照強度2000～2500勒克斯、日光燈每天光照12小時的條件下培養35～45天，收集生長旺盛的翠綠色的愈傷組織，即為硒化霍山石斛愈傷組織種源；

（4）硒化霍山石斛培養物的生產：取硒化霍山石斛愈傷組織種源，轉入滅菌第七固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、光照強度2000～2500勒克斯、日光燈每天光照12小時的條件下培養45～50天，得硒化霍山石斛培養物；干燥的硒化霍山石斛培養物中有機硒質量分數不低于50μg/g；

所述第一固體低鹽培養基、第二固體低鹽培養基、第三固體低鹽培養基、第四固體低鹽培養基、第五固體低鹽培養基、第六固體低鹽培養基、第七固體低鹽培養基均由下列重量或體積的原料組成：蔗糖20000?mg、硝酸鉀80?mg、檸檬酸2.0?mg、硝酸鈣287.0?mg、硫酸鎂738.0?mg、硫酸納53.0?mg、氯化鉀65.0?mg、磷酸二氫鈉19.1?mg、鹽酸硫胺素0.1?mg、鹽酸吡哆素0.1?mg、鹽酸0.5?mg、甘氨酸3.0?mg、硫酸錳6.6?mg、硫酸鋅2.7?mg、碘化鉀0.75?mg、硼酸0.5?mg、瓊脂5000～6000?mg、水1?L，pH值5.8；

所述第一固體低鹽培養基、第二固體低鹽培養基中均還含有質量分數為0.1g/L的富硒酵母，第三固體低鹽培養基中還質量分數為0.2g/L的富硒酵母，第四固體低鹽培養基還質量分數為0.5g/L的富硒酵母，第五固體低鹽培養基、第六固體低鹽培養基、第七固體低鹽培養基中均還含有質量分數為1.0g/L的富硒酵母。

3.根據權利要求2所述的一種硒化霍山石斛培養物的生產方法，其特征在于：所述富硒酵母的生產菌株為中國普通微生物菌種保藏管理中心保藏的釀酒酵母（Saccharomyces?cerevisiae），保藏號CGMCC?0539；富硒酵母按照專利號01100600.5的生產方法培養獲得，為淡黃色或淡黃棕色的顆粒或粉末，總硒為670~730μg/g，其中無機硒不得過總硒量的15.0%。