1.一種MEMS器件，由硅蓋帽（12）、硅結構層（15）和硅襯底（10）經硅硅直接鍵合后組成，硅結構層（15）中設有可動結構，其特征在于：硅結構層（15）采用可作為導體的低阻硅片，并且直接在硅結構層上刻蝕形成電互聯引線（5）以及壓焊區（4），硅蓋帽（12）中設置的引線通孔（13）與壓焊區（4）相對應，并在壓焊區（4）上濺射鋁電極（14）。

2.一種MEMS器件晶圓級真空封裝方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）硅襯底制作：利用光刻技術、ICP深硅刻蝕技術在硅襯底上形成淺腔，并經氧化工藝使硅襯底表面生長一定厚度的氧化層；

（2）硅蓋帽制作：利用光刻工藝以及KOH腐蝕工藝形成結構淺腔以及電極引線通孔，并氧化使其表面形成一定厚度的氧化層；

（3）硅襯底與硅結構層直接鍵合：中間的硅結構層采用可作為導體的低阻硅片，采用硅硅直接鍵合工藝，將硅襯底與硅結構層直接鍵合；

（4）可動結構以及電互聯引線的制作：利用CMP減薄拋光技術將與硅襯底鍵合的低阻硅片減薄到需要的厚度，通過光刻工藝獲得硅結構層中的可動結構以及電互聯引線圖形，再利用ICP深硅刻蝕技術釋放可動結構，同時刻蝕形成低阻硅電極引線兩側隔離槽；

（5）將硅蓋帽與硅結構層直接鍵合，使硅蓋帽的引線孔對準硅結構層中的電極引線壓焊區；

（6）壓焊區域金屬化：利用掩蔽shadow?mask濺射工藝在引線孔中的電互聯引線壓焊區上濺射金屬鋁，形成壓焊點。