技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種背照式圖像傳感器制造過(guò)程中的晶圓減薄方法。

背景技術(shù)

圖像傳感器是在光電技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，所謂圖像傳感器，就是能夠感受光學(xué)圖像信息并將其轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的傳感器。圖像傳感器可以提高人眼的視覺(jué)范圍，使人們看到肉眼無(wú)法看到的微觀世界和宏觀世界，看到人們暫時(shí)無(wú)法到達(dá)處發(fā)生的事情，看到超出肉眼視覺(jué)范圍的各種物理、化學(xué)變化過(guò)程，生命、生理、病變的發(fā)生發(fā)展過(guò)程，等等?？梢?jiàn)圖像傳感器在人們的文化、體育、生產(chǎn)、生活和科學(xué)研究中起到非常重要的作用?？梢哉f(shuō)，現(xiàn)代人類活動(dòng)已經(jīng)無(wú)法離開(kāi)圖像傳感器了。

按照接收光線的位置的不同，圖像傳感器可以分為傳統(tǒng)正照式圖像傳感器及背照式圖像傳感器，其中，背照式圖像傳感器與傳統(tǒng)正照式圖像傳感器相比，最大的優(yōu)化之處就是將元件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)改變了，即將感光層的元件調(diào)轉(zhuǎn)方向，讓光能從背面直射進(jìn)去，避免了在傳統(tǒng)正照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)中，光線會(huì)受到微透鏡和光電二極管之間的電路和晶體管的影響。此外，把與感光無(wú)關(guān)的走線與光電二極管分開(kāi)到圖像傳感器（芯片）的兩邊或下面，這樣不僅可以增加光電元件曝光面積（開(kāi)口率增加），而且減少光線經(jīng)過(guò)布線層時(shí)的損失，從而顯著提高光的效能，大大改善低光照條件下的感光效果。

對(duì)于背照式圖像傳感器而言，為了使得入射到其背面的光線能夠有效地到達(dá)感光元件，在背照式傳感器的制造過(guò)程中，對(duì)于晶圓（即承載功能元件的基材）進(jìn)行薄型化處理是一項(xiàng)必要的工藝步驟。

請(qǐng)參考圖1，其為現(xiàn)有的晶圓減薄方法的流程示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的晶圓減薄方法主要包括：

步驟S10：利用磨削（grinding）工藝減薄晶圓。所述晶圓包括正面和背面，對(duì)所述晶圓的背面執(zhí)行磨削工藝，以減薄所述晶圓。通常的，通過(guò)所述磨削工藝將晶圓的厚度從770μm減薄至25μm。其中，所述晶圓為器件晶圓，即所述晶圓承載有功能元件，所述功能元件包括光電二極管、金屬導(dǎo)線等，所述功能元件形成于所述晶圓中并且靠近所述晶圓的正面，或者形成于所述晶圓的正面之上。

在經(jīng)過(guò)步驟S?10的第一次減薄工藝之后，接著，執(zhí)行第二次減薄工藝。

步驟S11：利用濕法刻蝕（wet?etch）工藝減薄晶圓，即對(duì)經(jīng)過(guò)磨削工藝后的晶圓，繼續(xù)執(zhí)行濕法刻蝕工藝，以進(jìn)一步減薄晶圓。所述晶圓包括正面和背面，所述背面即為執(zhí)行過(guò)磨削工藝的一面，在此，繼續(xù)對(duì)該面執(zhí)行減薄工藝。通常的，通過(guò)濕法刻蝕工藝將晶圓的厚度從25μm減薄至2.5μm。

通過(guò)上述兩步晶圓減薄工藝，能夠得到滿足厚度要求的晶圓。然而，在該現(xiàn)有的晶圓減薄方法中，存在如下幾個(gè)問(wèn)題：

1、因?yàn)闈穹涛g工藝需要使用刻蝕停止層（stop?layer），由此需要使用基底（substrate）高濃度摻雜的晶圓，從而增加了晶圓成本；

2、由于使用了刻蝕工藝，而刻蝕工藝需要使用成本較高的專門(mén)機(jī)臺(tái)，從而也增加了設(shè)備成本；

3、相較于磨削、化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）工藝，去除相同厚度的膜層，刻蝕工藝所需的工藝時(shí)間更長(zhǎng)，由此也將降低生產(chǎn)效率，提高生產(chǎn)成本。

現(xiàn)有的晶圓減薄方法所存在的問(wèn)題中，主要都是因?yàn)槔昧藵穹涛g工藝的緣故，為了避免上述問(wèn)題的產(chǎn)生，可以避免使用濕法刻蝕工藝。但是，濕法刻蝕工藝能夠滿足對(duì)于晶圓的減薄精度要求，目前，難以僅通過(guò)磨削工藝和/或化學(xué)機(jī)械研磨工藝滿足對(duì)于晶圓的減薄精度要求。由此，現(xiàn)有工藝中只能容忍上述問(wèn)題的存在，而在晶圓減薄方法中，既要滿足晶圓的減薄精度要求，又能夠避免對(duì)于濕法刻蝕工藝的使用也成了本領(lǐng)域的一個(gè)技術(shù)難題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓減薄方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中難以實(shí)現(xiàn)既滿足晶圓的減薄精度要求，又能夠避免對(duì)于濕法刻蝕工藝的使用的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶圓減薄方法，包括：

提供晶圓，并在所述晶圓中形成阻擋層；

利用磨削工藝減薄晶圓；

利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝減薄晶圓至所述阻擋層。

可選的，在所述的晶圓減薄方法中，在所述晶圓中形成阻擋層的工藝步驟包括：

在所述晶圓中形成溝槽；及

在所述溝槽中沉積阻擋層。

可選的，在所述的晶圓減薄方法中，所述溝槽的深度為2.5μm~3μm。

可選的，在所述的晶圓減薄方法中，所述溝槽形成于所述晶圓的切割道上。

可選的，在所述的晶圓減薄方法中，所述阻擋層的厚度為0.5μm~1μm。